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原文传递一种定量检测赭曲霉毒素A的电化学适配体传感器及其应用

专利名称：	一种定量检测赭曲霉毒素A的电化学适配体传感器及其应用
摘要：	本发明提供一种定量检测赭曲霉毒素A的电化学适配体传感器及其应用，涉及纳米生物传感器以及电化学检测领域。该电化学适配体传感器为三电极体系传感器，其工作电极是在金片电极表面依次修饰还原氧化石墨烯、二硫化钼和纳米金的复合膜、捕获探针1、捕获探针2和赭曲霉毒素A适配体后得到的，所述的捕获探针1、捕获探针2和赭曲霉毒素A适配体两两之间互补配对形成Y型结构。采用本发明电化学适配体传感器对赭曲霉毒素A进行定量检测，具有操作简单、稳定性好、灵敏度高、特异性强、重现性好等优点。
专利类型：	发明专利
申请人：	安徽科技学院
发明人：	彭钢;杜传来;张献领;丁志刚;仇丽妹;魏欣雨;赵峰
专利状态：	有效
申请日期：	1900-01-20T07:00:00+0805
发布日期：	1900-01-20T08:00:00+0805
申请号：	CN202010013586.0
公开号：	CN111122677A
代理机构：	南京汇盛专利商标事务所(普通合伙)
代理人：	袁静
分类号：	G01N27/327;G01N27/30;G01N27/48;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/327;G01N27/30;G01N27/48
申请人地址：	233100 安徽省蚌埠市黄山大道1501号(龙湖校区)
主权项：	1.一种定量检测赭曲霉毒素A的电化学适配体传感器，该电化学适配体传感器为三电极体系传感器，其特征在于工作电极是在金片电极表面依次修饰还原氧化石墨烯、二硫化钼和纳米金的复合膜、捕获探针1、捕获探针2和赭曲霉毒素A适配体后得到的；所述的捕获探针1、捕获探针2和赭曲霉毒素A适配体两两之间互补配对形成Y型结构。 2.根据权利要求1所述定量检测赭曲霉毒素A的电化学适配体传感器，其特征在于采用如下方法在金片电极表面修饰还原氧化石墨烯、二硫化钼和纳米金的复合膜：（1）在所述金片电极表面形成三维SiO2纳米球阵列；（2）在所述三维SiO2纳米球阵列的间隙中沉积还原氧化石墨烯、二硫化钼和纳米金的复合膜；（3）溶解所述三维SiO2纳米球阵列。 3.根据权利要求2所述定量检测赭曲霉毒素A的电化学适配体传感器，其特征在于步骤（2）是通过循环伏安电沉积法在所述三维SiO2纳米球阵列的间隙中沉积还原氧化石墨烯、二硫化钼和纳米金的复合膜。 4.根据权利要求3所述定量检测赭曲霉毒素A的电化学适配体传感器，其特征在于所述循环伏安电沉积法中的电解液是含有氧化石墨烯、(NH4)2MoS4和HAuCl4·4H2O的KCl溶液。 5.根据权利要求2-4之一所述定量检测赭曲霉毒素A的电化学适配体传感器，其特征在于步骤（1）中在金片电极表面形成三维SiO2纳米球阵列的方法如下：将金片电极插入SiO2分散液中，溶剂蒸发后，在电极表面形成三维SiO2纳米球阵列，然后煅烧。 6.根据权利要求1所述定量检测赭曲霉毒素A的电化学适配体传感器，其特征在于所述捕获探针1、捕获探针2和赭曲霉毒素A适配体的核苷酸序列分别如SEQ ID NO:1-3所示，所述捕获探针1的5’端修饰有巯基。 7.采用权利要求1-6之一所述电化学适配体传感器检测赭曲霉毒素A的方法，包括如下步骤：将样品溶液滴加至权利要求1-6之一所述电化学适配体传感器的工作电极表面进行反应，滴加信号探针进行孵化；将所述工作电极、对电极和参比电极置于电解液中，采用差分脉冲伏安法，获得峰电流的变化值；根据以峰电流的变化值为应变量、赭曲霉毒素A浓度的对数值为自变量的标准曲线，计算赭曲霉毒素A溶液的浓度。 8.根据权利要求7所述方法，其特征在于制作标准曲线的方法如下：将浓度在1fg/mL-0.1 μg/mL范围内的赭曲霉毒素A溶液，滴加到工作电极表面进行反应，滴加信号探针进行孵化；将电化学适配体传感器的工作电极、对电极和参比电极置于电解液中，采用差分脉冲伏安法，获得峰电流；以峰电流的变化值为应变量、以赭曲霉毒素A浓度的对数值为自变量，制作标准曲线。 9.根据权利要求7-8所述方法，其特征在于所述信号探针是将信号探针1和信号探针2核苷酸链固定在AuNPs-Fe3O4@C上得到的，所述信号探针1和信号探针2的核苷酸序列分别如SEQ ID NO:4和SEQ ID NO:5所示，所述信号探针1的5’端修饰巯基、3’端修饰亚甲基蓝，所述信号探针2的5’端修饰亚甲基蓝、3’端修饰巯基。 10.根据权利要求9所述方法，其特征在于所述AuNPs-Fe3O4@C是在Fe3O4@C表面包裹了一层纳米金后得到的。
所属类别：	发明专利