专利名称: |
一种定量检测赭曲霉毒素A的电化学适配体传感器及其应用 |
摘要: |
本发明提供一种定量检测赭曲霉毒素A的电化学适配体传感器及其应用,涉及纳米生物传感器以及电化学检测领域。该电化学适配体传感器为三电极体系传感器,其工作电极是在金片电极表面依次修饰还原氧化石墨烯、二硫化钼和纳米金的复合膜、捕获探针1、捕获探针2和赭曲霉毒素A适配体后得到的,所述的捕获探针1、捕获探针2和赭曲霉毒素A适配体两两之间互补配对形成Y型结构。采用本发明电化学适配体传感器对赭曲霉毒素A进行定量检测,具有操作简单、稳定性好、灵敏度高、特异性强、重现性好等优点。 |
专利类型: |
发明专利 |
申请人: |
安徽科技学院 |
发明人: |
彭钢;杜传来;张献领;丁志刚;仇丽妹;魏欣雨;赵峰 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
1900-01-20T07:00:00+0805 |
发布日期: |
1900-01-20T08:00:00+0805 |
申请号: |
CN202010013586.0 |
公开号: |
CN111122677A |
代理机构: |
南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) |
代理人: |
袁静 |
分类号: |
G01N27/327;G01N27/30;G01N27/48;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/327;G01N27/30;G01N27/48 |
申请人地址: |
233100 安徽省蚌埠市黄山大道1501号(龙湖校区) |
主权项: |
1.一种定量检测赭曲霉毒素A的电化学适配体传感器,该电化学适配体传感器为三电极体系传感器,其特征在于工作电极是在金片电极表面依次修饰还原氧化石墨烯、二硫化钼和纳米金的复合膜、捕获探针1、捕获探针2和赭曲霉毒素A适配体后得到的;所述的捕获探针1、捕获探针2和赭曲霉毒素A适配体两两之间互补配对形成Y型结构。 2.根据权利要求1所述定量检测赭曲霉毒素A的电化学适配体传感器,其特征在于采用如下方法在金片电极表面修饰还原氧化石墨烯、二硫化钼和纳米金的复合膜: (1)在所述金片电极表面形成三维SiO2纳米球阵列; (2)在所述三维SiO2纳米球阵列的间隙中沉积还原氧化石墨烯、二硫化钼和纳米金的复合膜; (3)溶解所述三维SiO2纳米球阵列。 3.根据权利要求2所述定量检测赭曲霉毒素A的电化学适配体传感器,其特征在于步骤(2)是通过循环伏安电沉积法在所述三维SiO2纳米球阵列的间隙中沉积还原氧化石墨烯、二硫化钼和纳米金的复合膜。 4.根据权利要求3所述定量检测赭曲霉毒素A的电化学适配体传感器,其特征在于所述循环伏安电沉积法中的电解液是含有氧化石墨烯、(NH4)2MoS4和HAuCl4·4H2O的KCl溶液。 5.根据权利要求2-4之一所述定量检测赭曲霉毒素A的电化学适配体传感器,其特征在于步骤(1)中在金片电极表面形成三维SiO2纳米球阵列的方法如下:将金片电极插入SiO2分散液中,溶剂蒸发后,在电极表面形成三维SiO2纳米球阵列,然后煅烧。 6.根据权利要求1所述定量检测赭曲霉毒素A的电化学适配体传感器,其特征在于所述捕获探针1、捕获探针2和赭曲霉毒素A适配体的核苷酸序列分别如SEQ ID NO:1-3所示,所述捕获探针1的5’端修饰有巯基。 7.采用权利要求1-6之一所述电化学适配体传感器检测赭曲霉毒素A的方法,包括如下步骤:将样品溶液滴加至权利要求1-6之一所述电化学适配体传感器的工作电极表面进行反应,滴加信号探针进行孵化;将所述工作电极、对电极和参比电极置于电解液中,采用差分脉冲伏安法,获得峰电流的变化值;根据以峰电流的变化值为应变量、赭曲霉毒素A浓度的对数值为自变量的标准曲线,计算赭曲霉毒素A溶液的浓度。 8.根据权利要求7所述方法,其特征在于制作标准曲线的方法如下:将浓度在1fg/mL-0.1 μg/mL范围内的赭曲霉毒素A溶液,滴加到工作电极表面进行反应,滴加信号探针进行孵化;将电化学适配体传感器的工作电极、对电极和参比电极置于电解液中,采用差分脉冲伏安法,获得峰电流;以峰电流的变化值为应变量、以赭曲霉毒素A浓度的对数值为自变量,制作标准曲线。 9.根据权利要求7-8所述方法,其特征在于所述信号探针是将信号探针1和信号探针2核苷酸链固定在AuNPs-Fe3O4@C上得到的,所述信号探针1和信号探针2的核苷酸序列分别如SEQ ID NO:4和SEQ ID NO:5所示,所述信号探针1的5’端修饰巯基、3’端修饰亚甲基蓝,所述信号探针2的5’端修饰亚甲基蓝、3’端修饰巯基。 10.根据权利要求9所述方法,其特征在于所述AuNPs-Fe3O4@C是在Fe3O4@C表面包裹了一层纳米金后得到的。 |
所属类别: |
发明专利 |