专利名称: |
湿度传感器芯片、制作方法、检测系统及使用方法 |
摘要: |
本发明公开一种湿度传感器芯片,包括:衬底;在衬底上形成的第一源极区域、第一漏极区域以及第二源极区域、第二漏极区域;在第一源极区域内形成的第一源极、在第一漏极区域内形成的第一漏极以及在第二源极区域内形成的第二源极、在第二漏极区域内形成的第二漏极;在衬底上形成的第一湿敏材料层以及第二湿敏材料层,第一湿敏材料层与第一源极、第一漏极电连接,第二湿敏材料层与第二源极、第二漏极电连接;在第一湿敏材料层上形成的第一栅极,在第二湿敏材料层上形成的第二栅极;隔绝层,覆盖第一栅极、第一湿敏材料层、第一源极以及第一漏极。本发明能够在对湿度感测的同时消除温度对其所造成的影响,提高感测精度。 |
专利类型: |
发明专利 |
申请人: |
歌尔股份有限公司 |
发明人: |
郭倩倩;徐香菊;李向光;付博;方华斌 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
1900-01-20T02:00:00+0805 |
发布日期: |
1900-01-20T12:00:00+0805 |
申请号: |
CN202010002359.8 |
公开号: |
CN111141795A |
代理机构: |
北京正理专利代理有限公司 |
代理人: |
张雪梅 |
分类号: |
G01N27/22;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/22 |
申请人地址: |
261031 山东省潍坊市高新技术产业开发区东方路268号 |
主权项: |
1.一种湿度传感器芯片,其特征在于,包括: 衬底; 在所述衬底上形成的第一源极区域、第一漏极区域以及第二源极区域、第二漏极区域; 在所述第一源极区域内形成的第一源极、在所述第一漏极区域内形成的第一漏极以及在所述第二源极区域内形成的第二源极、在所述第二漏极区域内形成的第二漏极; 在所述衬底上形成的第一湿敏材料层以及第二湿敏材料层,所述第一湿敏材料层与所述第一源极、第一漏极电连接,所述第二湿敏材料层与所述第二源极、第二漏极电连接; 在所述第一湿敏材料层上形成的第一栅极,在所述第二湿敏材料层上形成的第二栅极; 隔绝层,覆盖所述第一栅极、所述第一湿敏材料层、所述第一源极以及所述第一漏极。 2.根据权利要求1所述的湿度传感器芯片,其特征在于,所述第一湿敏材料层和/或所述第二湿敏材料层的材料包括聚酰亚胺、聚醋酸乙烯或聚乙烯。 3.根据权利要求1所述的湿度传感器芯片,其特征在于,所述隔绝层的材料包括二氧化硅或氮化硅。 4.根据权利要求1所述的湿度传感器芯片,其特征在于,所述衬底的材料包括P型硅基材料。 5.一种温度传感器芯片的制作方法,其特征在于,包括以下步骤: 在衬底上形成第一源极区域、第一漏极区域以及第二源极区域、第二漏极区域; 在所述第一源极区域内形成第一源极、在所述第一漏极区域内形成第一漏极以及在所述第二源极区域内形成第二源极、在所述第二漏极区域内形成第二漏极; 在所述衬底上形成第一湿敏材料层以及第二湿敏材料层,所述第一湿敏材料层与所述第一源极、第一漏极电连接,所述第二湿敏材料层与所述第二源极、第二漏极电连接; 在所述第一湿敏材料层形成第一栅极,在所述第二湿敏材料上形成第二栅极; 形成隔绝层,覆盖所述第一栅极、所述第一湿敏材料层、所述第一源极以及所述第一漏极。 6.根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于,还包括: 采用浓磷扩散分别在第一源极区域、第一漏极区域和/或第二源极区域、第二漏极区域内形成第一源极、第一漏极和/或第二源极、第二漏极。 7.根据权利要求5所述的湿度传感器芯片,其特征在于,所述第一湿敏材料层和/或所述第二湿敏材料层的材料包括聚酰亚胺、聚醋酸乙烯或聚乙烯。 8.根据权利要求5所述的湿度传感器芯片,其特征在于,所述隔绝层的材料包括二氧化硅或氮化硅。 9.一种湿度检测系统,其特征在于,包括: 如权利要求1-4中任一项所述的湿度传感器芯片;以及 处理单元; 其中,所述第一栅极、第二栅极分别接收工作信号,以使得所述第一源极或所述第一漏极输出第一感测信号、所述第二源极或所述第二漏极输出第二感测信号,所述处理单元基于所述第一感测信号以及所述第二感测信号来生成湿度检测数据。 10.一种利用如权利要求9所述的湿度检测系统的使用方法,其特征在于,包括以下步骤: 所述第一栅极、第二栅极分别接收工作信号,以使得所述第一源极或所述第一漏极输出第一感测信号、所述第二源极或所述第二漏极输出第二感测信号,所述处理单元基于所述第一感测信号以及所述第二感测信号来生成湿度检测数据。 |
所属类别: |
发明专利 |