专利名称: |
气体传感器及其陶瓷芯片及绝缘浆料及制作方法 |
摘要: |
本申请公开了一种气体传感器及其陶瓷芯片及绝缘浆料及制作方法。所述绝缘浆料包括成孔剂、主体氧化铝颗粒和配合氧化铝颗粒;所述主体氧化铝颗粒的粒径范围是1‑2μm;所述配合氧化铝颗粒的粒径范围是300‑500nm或者5‑10μm。所述制作方法采用所述绝缘浆料。所述陶瓷芯片包括加热器,所述加热器包括上、中、下三层,分别为上绝缘隔离层、加热导电线路和下绝缘隔离层;所述上绝缘隔离层和所述下绝缘隔离层的主要成分均为氧化铝;所述上绝缘隔离层和所述下绝缘隔离层均为具有孔洞的结构。所述气体传感器包括所述陶瓷芯片。本申请可提升气体传感器陶瓷芯片的加热器对热效应的耐受能力。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
广东;44 |
申请人: |
深圳市森世泰科技有限公司 |
发明人: |
袁春;李纯钢 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2019-06-24T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-09-03T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201910551579.3 |
公开号: |
CN110196268A |
代理机构: |
深圳新创友知识产权代理有限公司 |
代理人: |
黄议本 |
分类号: |
G01N27/12(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
申请人地址: |
518000 广东省深圳市光明新区凤凰街道塘尾宝塘高新科技园2栋3楼 |
主权项: |
1.一种气体传感器陶瓷芯片的绝缘浆料,其特征在于:包括成孔剂、主体氧化铝颗粒和配合氧化铝颗粒; 所述主体氧化铝颗粒的粒径范围是1-2μm; 所述配合氧化铝颗粒的粒径范围是300-500nm或者5-10μm。 2.根据权利要求1所述的绝缘浆料,其特征在于:还包括添加剂。 3.根据权利要求1所述的绝缘浆料,其特征在于:所述成孔剂的具体形式包括石墨、炭黑、硝酸铵和淀粉。 4.根据权利要求2所述的绝缘浆料,其特征在于:所述添加剂包括氧化硅、氧化镁和氧化铝中的至少两者;所述添加剂的质量百分比为在3%以内。 5.根据权利要求1所述的绝缘浆料,其特征在于:所述成孔剂的质量百分比为10%-40%。 6.一种气体传感器陶瓷芯片加热器的制作方法,其特征在于:使用上层绝缘浆料和下层绝缘浆料,所述上层绝缘浆料和所述下层绝缘浆料均为根据权利要求1至5任一项所述绝缘浆料;所述上层绝缘浆料可形成的孔洞的结构与所述下层绝缘浆料可形成的孔洞的结构不同; 分别将所述上层绝缘浆料和所述下层绝缘浆料混合形成上层浆料和下层浆料; 分别将所述上层浆料和所述下层浆料印刷到加热导电线路的上层和下层,得到待处理加热器; 对所述待处理加热器进行后续处理,得到一体化结构的加热器。 7.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于所述对所述待处理加热器进行后续处理包括:对所述待处理加热器进行层压、切割和烧结。 8.一种气体传感器陶瓷芯片,其特征在于:包括加热器,所述加热器包括上、中、下三层,分别为上绝缘隔离层、加热导电线路和下绝缘隔离层; 所述上绝缘隔离层和所述下绝缘隔离层的主要成分均为氧化铝; 所述上绝缘隔离层和所述下绝缘隔离层均为具有孔洞的结构; 所述上绝缘隔离层的孔洞与所述下绝缘隔离层的孔洞不同; 所述上绝缘隔离层的上方为所述气体传感器陶瓷芯片的空腔导气槽; 所述下绝缘隔离层的下方为所述气体传感器陶瓷芯片的氧化锆基体层。 9.根据权利要求8所述的气体传感器陶瓷芯片,其特征在于:所述上绝缘隔离层的孔隙率比所述下绝缘隔离层的孔隙率大5%至15%;所述上绝缘隔离层和所述下绝缘隔离层均包括不同粒径的氧化铝颗粒;所述不同粒径的氧化铝颗粒包括主体氧化铝颗粒和配合氧化铝颗粒;所述主体氧化铝颗粒的粒径范围是1-2μm;所述配合氧化铝颗粒的粒径范围是300-500nm或者5-10μm。 10.一种气体传感器,其特征在于:包括根据权利要求8或9所述气体传感器陶瓷芯片。 |
所属类别: |
发明专利 |