专利名称: |
用于同位素测量的加速器质谱装置 |
摘要: |
本发明的实施例提供了一种用于同位素测量的加速器质谱装置,其包括离子源、注入系统、加速管、气体剥离系统、分析系统以及探测系统,其中,离子源与注入系统连接,注入系统的输出端与加速管连接,加速管的输出端与气体剥离系统连接,气体剥离系统的输出端与分析系统连接,分析系统连接至探测系统;离子源用于产生同位素负离子;注入系统对同位素负离子进行分离,并且使同位素负离子交替注入加速管;加速管对经注入系统分离后的负离子进行加速;气体剥离系统将加速后的负离子转化为正离子,同时将分子离子瓦解;分析系统对正离子进行分析后将正离子送入探测系统,探测系统对上述正离子进行测量。本发明的装置结构紧凑、涉及的操作流程简单。 |
专利类型: |
发明专利 |
申请人: |
中国原子能科学研究院 |
发明人: |
何明;包轶文;姜山;游曲波;苏胜勇;李康宁;赵庆章;庞仪俊 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
1900-01-20T02:00:00+0805 |
发布日期: |
1900-01-20T15:00:00+0805 |
申请号: |
CN202010002369.1 |
公开号: |
CN111157605A |
代理机构: |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人: |
张成新 |
分类号: |
G01N27/62;H01J49/00;G;H;G01;H01;G01N;H01J;G01N27;H01J49;G01N27/62;H01J49/00 |
申请人地址: |
102413 北京市房山区新镇三强路1号院 |
主权项: |
1.一种用于同位素测量的加速器质谱装置(100),包括: 离子源(10)、注入系统(20)、加速管(30)、气体剥离系统(40)、分析系统(50)以及探测系统(60),其中, 所述离子源(10)与所述注入系统(20)连接, 所述注入系统(20)的输出端与所述加速管(30)连接, 所述加速管(30)的输出端与所述气体剥离系统(40)连接, 所述气体剥离系统(40)的输出端与所述分析系统(50)连接,所述分析系统(50)连接至所述探测系统(60); 其中,所述离子源(10)用于产生同位素负离子; 所述注入系统(20)对所述同位素负离子进行分离,并且使所述同位素负离子交替注入所述加速管(30); 所述加速管(30)对经所述注入系统(20)分离后的负离子进行加速; 所述气体剥离系统(40)将所述加速后的负离子转化为正离子,同时将分子离子瓦解; 所述分析系统(50)对所述正离子进行分析后将所述正离子送入所述探测系统(60),所述探测系统(60)对上述正离子进行测量。 2.根据权利要求1所述的加速器质谱装置(100),其中, 所述注入系统(20)包括注入磁铁(21)、交替注入单元和测量单元(22),所述测量单元(22)设置在所述注入磁铁(21)的输出端; 所述注入磁铁(21)用于将所述离子源(10)产生的负离子偏转至预设轨道; 所述交替注入单元用于将所述负离子交替注入至所述加速管(30); 所述测量单元(22)用于对部分所述负离子测量。 3.根据权利要求2所述的加速器质谱装置(100),其中, 所述测量单元(22)为偏置法拉第杯。 4.根据权利要求3所述的加速器质谱装置(100),其中, 所述分析系统(50)包括分析磁铁(51)和静电分析器(52); 所述分析磁铁(51)的输出端设置偏置法拉第杯(53),用于测量经所述气体剥离系统(40)产生的同位素正离子。 5.根据权利要求1所述的加速器质谱装置(100),其中, 所述离子源(10)及所述注入系统(20)设置在具有预设电压的台架上,所述气体剥离系统(40)、所述分析系统(50)及所述探测系统(60)均处于地电位。 6.根据权利要求1所述的加速器质谱装置(100),其中, 所述气体剥离系统(40)包括剥离管(41),所述剥离管(41)的两侧设置分子泵(42)。 7.根据权利要求1所述的加速器质谱装置(100),其中,还包括: 束流传输系统(70),所述束流传输系统(70)设置在所述离子源(10)与所述加速管(30)之间; 所述束流传输系统(70)包括导向器(71)和静电四级透镜(72),所述导向器(71)设置在所述离子源(10)与所述注入系统(20)之间,用于调节束流位置; 所述静电四级透镜(72)设置在所述注入系统(20)与所述加速管(30)之间,用于对离子束流聚焦。 8.根据权利要求4所述的加速器质谱装置(100),其中, 所述注入磁铁(21)及所述分析磁铁(51)均采用偏转半径为35cm、偏转角度为90度的双聚焦二极磁铁。 9.根据权利要求8所述的加速器质谱装置(100),其中, 所述静电分析器(52)采用偏转半径为35cm、偏转角度为90度的双聚焦球面型静电分析器。 10.根据权利要求9所述的加速器质谱装置(100),其中,还包括: 设置在所述注入磁铁(21)输出端的狭缝(81)、设置在所述分析磁铁(51)输出端的狭缝(82)以及设置在所述静电分析器(52)输出端的狭缝(83)。 11.根据权利要求10所述的加速器质谱装置(100),其中, 所述探测系统(60)包括探测器及数据分析测量单元,所述探测器测量经所述静电分析器分析后的正离子,所述数据分析测量单元测量同位素的含量及丰度比。 |
所属类别: |
发明专利 |