专利名称: |
一种提高单晶硅棒利用率的切割方法 |
摘要: |
本发明公开了一种提高单晶硅棒利用率的切割方法,在原有切割210mm的开方线网之外,再添加一套向外扩展20mm的切割线网;切割后,将产生210mm边长的方棒和4块厚度为20mm带有圆弧边的单晶板坯,以及4块厚度约25mm的圆拱形单晶边皮;将多个单晶板坯使用水溶胶粘合后,使用金刚线截断机进行裁边,修正为厚度20mm、边长158mm、长度等于圆棒的长方形单晶板坯。本发明切割方法,可以提高单晶圆棒切割后可利用部分晶体的体积占比,提高单晶硅棒有效利用率,大大节约了生产成本。 |
专利类型: |
发明专利 |
申请人: |
江苏高照新能源发展有限公司 |
发明人: |
张志强;王艺澄;周炎;姚亮 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
1900-01-20T20:00:00+0805 |
发布日期: |
1900-01-20T10:00:00+0805 |
申请号: |
CN201911322740.6 |
公开号: |
CN110978303A |
代理机构: |
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) |
代理人: |
任立;艾中兰 |
分类号: |
B28D5/00;B28D5/04;B;B28;B28D;B28D5;B28D5/00;B28D5/04 |
申请人地址: |
212200 江苏省镇江市扬中市经济开发区港隆路968号 |
主权项: |
1.一种提高单晶硅棒利用率的切割方法,应用于将直径300mm单晶圆棒切割成边长210mm方棒,其特征在于: 在原有切割210mm的开方线网之外,再添加一套向外扩展20mm的切割线网;切割后,将产生210mm边长的方棒和4块厚度为20mm带有圆弧边的单晶板坯,以及4块厚度约25mm的圆拱形单晶边皮;将多个单晶板坯使用水溶胶粘合后,使用金刚线截断机进行裁边,修正为厚度20mm、边长158mm、长度等于圆棒的长方形单晶板坯。 2.如权利要求1所述的提高单晶硅棒利用率的切割方法,其特征在于将长方形单晶板坯用于铸造单晶硅的仔晶。 3.如权利要求1所述的提高单晶硅棒利用率的切割方法,其特征在于将长方形单晶板坯再经过开方后切割为边长158mm的方单晶硅片。 |
所属类别: |
发明专利 |