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原文传递一种圆管填充的非正泊松比缓冲吸能结构

专利名称：	一种圆管填充的非正泊松比缓冲吸能结构
摘要：	本发明涉及一种圆管填充的非正泊松比缓冲吸能结构，包括圆管胞元及基板，基板包括上基板、下基板和侧向圆弧基板，上基板、下基板和侧向圆弧基板首尾相接，围成具有负泊松比特性的封闭结构，侧向圆弧基板通过迭代方式确定其形状；圆管胞元置于基板中，根据确定n1的个数；在基板中心区域水平布置圆管胞元，在该层上下，分别按照等差数列方式逐层递增布置圆管胞元，公差为1，直至与上基板、下基板贴合为止；与圆管胞元的接触区域均相互固定连接；所有圆管胞元与侧向圆弧基板均不接触。本发明结构具备零泊松比或负泊松比效应，单个结构不装配即可得到层级的压溃力，便于降低冲击过载。
专利类型：	发明专利
申请人：	北京空间机电研究所
发明人：	武士轻;梁浩;王永滨;王立武;吕智慧;唐明章;贾贺;龙龙;郝世杰;熊志伟
专利状态：	有效
申请日期：	1900-01-20T20:00:00+0805
发布日期：	1900-01-20T17:00:00+0805
申请号：	CN201911329303.7
公开号：	CN111017270A
代理机构：	中国航天科技专利中心
代理人：	任林冲
分类号：	B64G1/62;B;B64;B64G;B64G1;B64G1/62
申请人地址：	100076 北京市丰台区南大红门路1号9201信箱5分箱
主权项：	1.一种圆管填充的非正泊松比缓冲吸能结构，其特征在于，包括圆管胞元及基板，基板包括上基板、下基板和侧向圆弧基板，上基板、下基板和侧向圆弧基板首尾相接，围成具有负泊松比特性的封闭结构，侧向圆弧基板通过迭代方式确定其形状；圆管胞元置于基板中，根据确定n1的个数，其中n1为基板中心区域水平布置圆管胞元的数量，L1侧向圆弧基板的最小间距；D为圆管胞元的直径；在基板中心区域水平布置圆管胞元，在该层上下，分别按照等差数列方式逐层递增布置圆管胞元，公差为1，直至与上基板、下基板贴合为止；与圆管胞元的接触区域均相互固定连接；所有圆管胞元与侧向圆弧基板均不接触。 2.根据权利要求1所述的一种圆管填充的非正泊松比缓冲吸能结构，其特征在于：侧向圆弧基板厚度与上基板、下基板一致。 3.根据权利要求2所述的一种圆管填充的非正泊松比缓冲吸能结构，其特征在于：侧向圆弧基板厚度为0.1-0.3mm。 4.根据权利要求1所述的一种圆管填充的非正泊松比缓冲吸能结构，其特征在于：侧向圆弧基板圆弧角20-40°。 5.根据权利要求1所述的一种圆管填充的非正泊松比缓冲吸能结构，其特征在于：基板的压溃平台力为3000-5000N。 6.根据权利要求1所述的一种圆管填充的非正泊松比缓冲吸能结构，其特征在于：圆管胞元为铝合金或钛合金，圆管胞元厚度为0.03-0.05mm。 7.根据权利要求1所述的一种圆管填充的非正泊松比缓冲吸能结构，其特征在于：力作用在上基板上，在压溃过程中，载荷逐渐从上基板传递圆管包圆并依次向下传递，中心区域圆管首先被压溃，再上下依次压馈，压馈过程中侧向基板与圆管胞元不接触，在压溃过程中，逐渐压溃数量不同圆管胞元，从而出现多个阶梯平台力，进而得到不同的缓冲过载。
所属类别：	发明专利