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原文传递基于非相干光源和波带片成像的掩模缺陷检测方法及系统

专利名称：	基于非相干光源和波带片成像的掩模缺陷检测方法及系统
摘要：	一种基于非相干光源和波带片成像的掩模缺陷检测方法及系统，该检测系统包括光源，用于提供非相干极紫外光；滤光装置，用于缩小光源的带宽；聚焦装置，将通过滤光装置的光源聚焦到待检测掩模上；成像装置，用于将经过待检测掩模反射的光成像；以及探测器，探测经过成像装置形成的像。本发明提出利用非相干极紫外光源进行波带片成像，加入滤光片控制光源带宽，有效地消除了波带片成像色差；本发明的非相干光源相对于同步辐射源体积较小，且低相干，不需要加入扫描镜降低相干性，使光路系统进一步简化。
专利类型：	发明专利
申请人：	中国科学院微电子研究所
发明人：	刘立拓;周维虎;吴晓斌;王宇;陈晓梅;石俊凯;黎尧
专利状态：	有效
申请日期：	1900-01-20T00:00:00+0805
发布日期：	1900-01-20T10:00:00+0805
申请号：	CN201911374143.8
公开号：	CN110987965A
代理机构：	中科专利商标代理有限责任公司
代理人：	吴梦圆
分类号：	G01N21/95;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/95
申请人地址：	100029 北京市朝阳区北土城西路3号
主权项：	1.一种掩模缺陷检测系统，包括：光源，用于提供非相干极紫外光；滤光装置，用于缩小光源的带宽；聚焦装置，将通过滤光装置的光源聚焦到待检测掩模上；成像装置，用于将经过待检测掩模反射的光成像；以及探测器，探测经过成像装置形成的像。 2.根据权利要求1所述的掩模缺陷检测系统，其特征在于，所述光源包括气体放电等离子体极紫外光源、激光等离子体极紫外光源中的任一种。 3.根据权利要求1所述的掩模缺陷检测系统，其特征在于，所述滤光装置包括滤光片、光栅、光阑中的任一种；所述聚焦装置包括聚焦镜或照明光学元件。 4.根据权利要求1所述的掩模缺陷检测系统，其特征在于，经过所述滤光装置的光源带宽Δλ/λ＜1000，其中，Δλ为经过滤光装置后的光源波长，λ为光源波长。 5.根据权利要求1所述的掩模缺陷检测系统，其特征在于，所述成像装置包括波带片；所述波带片包括轴对称波带片或离轴波带片。 6.一种掩模缺陷检测方法，包括：光源经过滤光装置滤光后得到第一光源；第一光源经过聚焦装置聚焦后反射到待测掩模上；从待测掩模上反射的出射光源经过成像装置成像；根据成像装置得到的像判断待测掩模的缺陷，完成掩模缺陷检测。 7.根据权利要求6所述的掩模缺陷检测方法，其特征在于，所述光源包括气体放电等离子体极紫外光源、激光等离子体极紫外光源中的任一种。 8.根据权利要求6所述的掩模缺陷检测方法，其特征在于，所述滤光装置包括滤光片、光栅、光阑中的任一种；所述聚焦装置包括聚焦镜或照明光学元件。 9.根据权利要求6所述的掩模缺陷检测方法，其特征在于，经过所述滤光装置的第一光源带宽Δλ/λ＜1000，其中Δλ是第一光源的波长，λ是光源的波长。 10.根据权利要求6所述的掩模缺陷检测方法，其特征在于，所述成像装置包括波带片；所述波带片包括轴对称波带片或离轴波带片。
所属类别：	发明专利