详情

原文传递晶锭评估方法

专利名称：	晶锭评估方法
摘要：	本发明提供一种晶锭评估方法，包括下述步骤。分别基于多个晶锭各自的第一端的第一晶片与第二端的第二晶片的缺陷信息来获得多个统计参数。测量各晶锭的第一端的第一弯曲度与其第二端的第二弯曲度，借此将晶锭标记至对应的多个种类中的其中一个。基于所述晶锭的统计参数与其所标记的类别来建立分类模型。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	中国台湾;71
申请人：	环球晶圆股份有限公司
发明人：	王上棋;李佳融;陈苗霈;蔡佳琪;李依晴
专利状态：	有效
申请日期：	2022-04-19T00:00:00+0800
发布日期：	2022-12-30T00:00:00+0800
申请号：	CN202210408237.8
公开号：	CN115541586A
代理机构：	北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人：	贺财俊;黄健
分类号：	G01N21/88;G01B21/20;G;G01;G01N;G01B;G01N21;G01B21;G01N21/88;G01B21/20
申请人地址：	中国台湾新竹市科学工业园区工业东二路8号
主权项：	1.一种晶锭评估方法，其特征在于，包括：分别基于多个晶锭各自的第一端的第一晶片与第二端的第二晶片的缺陷信息来获得多个统计参数；测量每一所述晶锭的所述第一端的第一弯曲度与其所述第二端的第二弯曲度，借此将所述晶锭标记至对应的多个类别中的其中一个；以及基于所述晶锭的所述统计参数与其所标记的类别来建立分类模型。 2.根据权利要求1所述的晶锭评估方法，其特征在于，分别基于所述晶锭各自的所述第一端的所述第一晶片与所述第二端的所述第二晶片的缺陷信息来获得所述统计参数的步骤包括：在指定方向上，将所述第一晶片与所述第二晶片各自至少划分为两个区域；基于所述第一晶片的所述缺陷信息，计算对应于所述第一晶片所划分的两个区域的第一缺陷比例以及第二缺陷比例；基于所述第二晶片的所述缺陷信息，计算对应于所述第二晶片所划分的两个区域的第三缺陷比例以及第四缺陷比例；基于所述第一缺陷比例与所述第二缺陷比例，计算第一差值；基于所述第三缺陷比例与所述第四缺陷比例，计算第二差值；基于所述第一差值与所述第二差值，计算第三差值；以及将所述第一差值、所述第二差值以及所述第三差值作为所述统计参数。 3.根据权利要求2所述的晶锭评估方法，其特征在于，所述第一缺陷比例与所述第二缺陷比例分别为所述第一晶片所划分的两个区域中的至少一缺陷种类所占的比例，所述第三缺陷比例与所述第四缺陷比例分别为所述第二晶片所划分的两个区域中的所述至少一缺陷种类所占的比例。 4.根据权利要求1所述的晶锭评估方法，其中所述缺陷信息包括多个缺陷坐标，每一所述缺陷坐标对应至多个缺陷种类其中一种，所述缺陷种类包括贯通螺旋位错以及基面位错。 5.根据权利要求1所述的晶锭评估方法，其特征在于，测量每一所述晶锭的所述第一端的所述第一弯曲度与其所述第二端的所述第二弯曲度的步骤包括：逐一测量每一所述晶锭包括的多个晶片的弯曲度；将每一所述晶锭划分为第一端区段、第二端区段以及中间区段，其中所述中间区段位于所述第一端区段与所述第二端区段之间；计算位于所述第一端区段的所述晶片的弯曲度的平均值来作为所述第一弯曲度；以及计算位于所述第二端区段的所述晶片的弯曲度的平均值来作为所述第二弯曲度。 6.根据权利要求1所述的晶锭评估方法，其特征在于，所述类别包括第一类别、第二类别以及第三类别，将所述晶锭标记至对应的所述类别中的其中一个的步骤包括：判断所述第一弯曲度与所述第二弯曲度是否位于预设范围内；倘若所述第一弯曲度与所述第二弯曲度皆位于所述预设范围内，将对应的所述晶锭标记为所述第一类别；倘若所述第一弯曲度与所述第二弯曲度其中一个位于所述预设范围内，所述第一弯曲度与所述第二弯曲度其中另一个不在所述预设范围内，将对应的所述晶锭标记为所述第二类别；以及倘若所述第一弯曲度与所述第二弯曲度皆不在所述预设范围内，将对应的所述晶锭标记为所述第三类别。 7.根据权利要求1所述的晶锭评估方法，其特征在于，在建立所述分类模型之后，还包括：测量待测晶锭各自前后两端的所述第一晶片与所述第二晶片两者的缺陷信息来获得所述统计参数；以及将所述统计参数输入所述分类模型，进而预测所述待测晶锭对应的其中一个所述类别。