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原文传递一种半导体堆叠封装结构的DAF胶去除方法

专利名称：	一种半导体堆叠封装结构的DAF胶去除方法
摘要：	本发明公开了一种半导体堆叠封装结构的DAF胶去除方法，先用第一混酸化学腐蚀去除塑封材料得到多层晶圆，然后放入预先加热好的浓硫酸中处理，再利用第二混酸继续化学腐蚀去除DAF胶使得多层晶圆逐层分开；本发明通过设计不同酸的配比及多次加热处理，可较好的去除DAF胶，避免因开封过程中的DAF胶异常膨胀导致的晶圆破损问题，提高开封效率，有助于后续晶圆失效分析，且利用加热的浓硫酸对DAF进行改性后再次通过化学开封，可以极大的提高化学开封的成功率；操作简便，成本低；且该方法为化学开封，可以避免其他机械或者激光开封可能带来的机械应力风险，降低了开封过程中的晶圆损伤，为后续的失效定位以及电性能测试提供有利条件。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	广东;44
申请人：	深圳长城开发科技股份有限公司
发明人：	梅聪;王诗慧;黄小荣;曹柏海;蔡亚琪
专利状态：	有效
申请日期：	2022-04-29T00:00:00+0800
发布日期：	2023-11-07T00:00:00+0800
申请号：	CN202210479233.9
公开号：	CN117007404A
代理机构：	深圳市顺天达专利商标代理有限公司
代理人：	张蓉;郭伟刚
分类号：	G01N1/32;G;G01;G01N;G01N1;G01N1/32
申请人地址：	518109 广东省深圳市福田区彩田路7006号
主权项：	1.一种半导体堆叠封装结构的DAF胶去除方法，所述半导体堆叠封装结构包括基板(1)、堆叠在所述基板(1)上并通过DAF胶(2)粘接在一起的多层晶圆(3)和设置在所述基板(1)上且包裹所述多层晶圆(3)的塑封材料(4)，其特征在于，所述方法包括：步骤1：将待开封的所述半导体堆叠封装结构放入由发烟硝酸和浓硫酸按照第一比例混合并预先加热到第一预定温度形成的第一混酸中，通过化学腐蚀去除所述塑封材料(4)得到所述多层晶圆(3)；步骤2：将步骤1得到的所述多层晶圆(3)放入预先加热到第二预定温度的浓硫酸中处理以对所述DAF胶(2)进行改性，所述第二预定温度大于所述第一预定温度；步骤3：将步骤2处理好的所述多层晶圆(3)放入由发烟硝酸和浓硫酸按照第二比例混合并加热到第三预定温度形成的第二混酸中，通过化学腐蚀去除DAF胶(2)使得所述多层晶圆(3)逐层分开；步骤4：将步骤3得到的单层的晶圆(3)表面残留清洗干净，再将晶圆(3)浸没在清洗溶液中加热至第四预定温度，处理一段时间后取出；步骤5：检查步骤4取出的晶圆(3)表面是否干净，若晶圆(3)表面仍有DAF胶(2)残留，则返回步骤4。 2.根据权利要求1所述的半导体堆叠封装结构的DAF胶去除方法，其特征在于，步骤1中的所述第一混酸是由浓度90％-97.5％的发烟硝酸和浓度95～98％的浓硫酸混合形成，所述第一比例为发烟硝酸和浓硫酸1:1体积比。 3.根据权利要求1所述的半导体堆叠封装结构的DAF胶去除方法，其特征在于，步骤1中的所述第一预定温度以及腐蚀时间可以进行调整，所述腐蚀时间的调整趋势与所述第一预定温度的调整趋势负相关。 4.根据权利要求1所述的半导体堆叠封装结构的DAF胶去除方法，其特征在于，步骤1中的所述第一预定温度为150℃～200℃，化学腐蚀时间为5～10分钟。 5.根据权利要求1所述的半导体堆叠封装结构的DAF胶去除方法，其特征在于，步骤2中的浓硫酸的浓度与步骤1中配置所述第一混酸中所使用的浓硫酸的浓度一致。 6.根据权利要求1所述的半导体堆叠封装结构的DAF胶去除方法，其特征在于，步骤2中所述第二预定温度为250℃～300℃，处理时间为10～15分钟。 7.根据权利要求1所述的半导体堆叠封装结构的DAF胶去除方法，其特征在于，步骤2中，如果处理过程中出现浓硫酸沸腾，可降低浓硫酸的温度，若无沸腾现象，可提升浓硫酸的温度；且浓硫酸的温度不低于250℃，处理时间不超过20分钟。 8.根据权利要求1所述的半导体堆叠封装结构的DAF胶去除方法，其特征在于，步骤3中的所述第二混酸是由浓度90％-97.5％的发烟硝酸和浓度95～98％的浓硫酸混合形成，所述第二比例为发烟硝酸和浓硫酸3:1体积比。 9.根据权利要求1所述的半导体堆叠封装结构的DAF胶去除方法，其特征在于，步骤3中所述第三预定温度为150℃～200℃，若处理过程中出现沸腾现象，可降低第二混酸的温度并延长化学腐蚀时间。 10.根据权利要求1所述的半导体堆叠封装结构的DAF胶去除方法，其特征在于，步骤4中所述第四预定温度为100～120℃，并且是用去离子水漂洗晶圆(3)表面残留，所述清洗溶液具体为Dupont EKC-270溶液。
所属类别：	发明专利