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原文传递半导体样品提取方法及装置

专利名称：	半导体样品提取方法及装置
摘要：	本申请涉及样品提取技术领域，提供一种半导体样品提取方法及装置。所述方法包括：控制探针将第一半导体样品置入透射电子显微镜的栅格内，得到位于栅格内的第二半导体样品和位于探针的针尖上的第三半导体样品；控制第三半导体样品与第二半导体样品的第一侧面进行焊接，得到第一焊接部；控制离子束在第二半导体样品靠近第一焊接部处纵向切割，得到与第三半导体样品焊接的第四半导体样品；控制探针对第四半导体样品进行提取。本申请实施例提供的半导体样品提取方法及装置可以避免探针针尖与第四半导体样品的直接接触，从而避免提取过程中对探针针尖的撞击，延长探针的使用寿命，避免探针的浪费，同时提高样品提取效率。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	江苏;32
申请人：	英诺赛科(苏州)半导体有限公司
发明人：	吴海生
专利状态：	有效
申请日期：	2023-07-07T00:00:00+0800
发布日期：	2023-11-17T00:00:00+0800
申请号：	CN202310829395.5
公开号：	CN117074122A
代理机构：	北京路浩知识产权代理有限公司
代理人：	董娜
分类号：	G01N1/28;G;G01;G01N;G01N1;G01N1/28
申请人地址：	215211 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号
主权项：	1.一种半导体样品提取方法，其特征在于，包括：控制探针将第一半导体样品置入透射电子显微镜的栅格内，得到位于所述栅格内的第二半导体样品和位于所述探针的针尖上的第三半导体样品；控制所述第三半导体样品与所述第二半导体样品的第一侧面进行焊接，得到第一焊接部；控制离子束在所述第二半导体样品靠近所述第一焊接部处纵向切割，得到与所述第三半导体样品焊接的第四半导体样品；控制所述探针对所述第四半导体样品进行提取。 2.根据权利要求1所述的半导体样品提取方法，其特征在于，所述控制所述第三半导体样品与所述第二半导体样品的第一侧面进行焊接，得到第一焊接部，包括：控制所述第三半导体样品与所述第二半导体样品的第一侧面的顶部接触，得到第一接触部；控制碳源在所述第一接触部进行焊接，得到第一焊接部。 3.根据权利要求1所述的半导体样品提取方法，其特征在于，所述控制所述第三半导体样品与所述第二半导体样品的第一侧面进行焊接，得到第一焊接部，包括：控制所述第三半导体样品与所述第二半导体样品的第一侧面靠近侧边的部分接触，得到第一接触部；控制碳源在所述第一接触部进行焊接，得到第一焊接部。 4.根据权利要求1所述的半导体样品提取方法，其特征在于，所述控制所述第三半导体样品与所述第二半导体样品的第一侧面进行焊接之前，包括：控制所述第二半导体样品的第二侧面与所述栅格的内侧进行焊接；所述第二侧面与所述第一侧面为相对的侧面。 5.根据权利要求4所述的半导体样品提取方法，其特征在于，所述控制所述第二半导体样品的第二侧面与所述栅格的内侧进行焊接，包括：控制所述第二半导体样品的第二侧面与所述栅格的内侧接触，得到第二接触部；控制碳源在所述第二接触部进行焊接。 6.根据权利要求1所述的半导体样品提取方法，其特征在于，所述控制所述探针对所述第四半导体样品进行提取之后，包括：控制所述第四半导体样品与任一栅格内的半导体样品的第三侧面进行焊接，得到第二焊接部；控制离子束在所述任一栅格内的半导体样品靠近所述第二焊接部处纵向切割，得到与所述第四半导体样品焊接的第五半导体样品；控制所述探针对所述第五半导体样品进行提取。 7.根据权利要求6所述的半导体样品提取方法，其特征在于，所述控制所述第四半导体样品与任一栅格内的半导体样品的第三侧面进行焊接，得到第二焊接部，包括：控制所述第四半导体样品与任一栅格内的半导体样品的第三侧面的顶部接触，得到第三接触部；控制离子束轰击溅射所述第三接触部，以对所述第三接触部进行焊接，得到第二焊接部。 8.根据权利要求6所述的半导体样品提取方法，其特征在于，所述控制所述第四半导体样品与任一栅格内的半导体样品的第三侧面进行焊接，得到第二焊接部，包括：控制所述第四半导体样品与任一栅格内的半导体样品的第三侧面靠近侧边的部分接触，得到第三接触部；控制离子束轰击溅射所述第三接触部，以对所述第三接触部进行焊接，得到第二焊接部。 9.根据权利要求6所述的半导体样品提取方法，其特征在于，所述控制所述第四半导体样品与任一栅格内的半导体样品的第三侧面进行焊接之前，包括：控制所述任一栅格内的半导体样品的第四侧面与所述任一栅格的内侧进行焊接；所述第四侧面与所述第三侧面为相对的侧面。 10.根据权利要求9所述的半导体样品提取方法，其特征在于，所述控制所述任一栅格内的半导体样品的第四侧面与所述任一栅格的内侧进行焊接，包括：控制所述任一栅格内的半导体样品的第四侧面与所述任一栅格的内侧接触，得到第四接触部；控制碳源在所述第四接触部进行焊接。 11.根据权利要求1所述的半导体样品提取方法，其特征在于，所述探针为全钨探针。 12.根据权利要求1所述的半导体样品提取方法，其特征在于，所述半导体样品为以硅为衬底，以氮化镓为外延层的样品。 13.根据权利要求1所述的半导体样品提取方法，其特征在于，所述离子束为镓离子束。 14.一种半导体样品提取装置，其特征在于，包括：样品放置模块，用于：控制探针将第一半导体样品置入透射电子显微镜的栅格内，得到位于所述栅格内的第二半导体样品和位于所述探针的针尖上的第三半导体样品；焊接控制模块，用于：控制所述第三半导体样品与所述第二半导体样品的第一侧面进行焊接，得到第一焊接部；离子束控制模块，用于：控制离子束在所述第二半导体样品靠近所述第一焊接部处纵向切割，得到与所述第三半导体样品焊接的第四半导体样品；样品提取控制模块，用于：控制所述探针对所述第四半导体样品进行提取。 15.一种电子设备，包括处理器和存储有计算机程序的存储器，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至13任一项所述的半导体样品提取方法的步骤。
所属类别：	发明专利