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原文传递 半导体装置的制造方法及半导体制造装置
专利名称: 半导体装置的制造方法及半导体制造装置
摘要: 本发明通过在含有氢气的惰性气体气氛中保持晶片,抑制晶片表面的 氢末端性在输送途中(20)等中变差。
专利类型: 发明专利
申请人: 大见忠弘
发明人: 大见忠弘;寺本章伸;赤堀浩史
专利状态: 有效
申请日期: 2005-09-13T00:00:00+0800
发布日期: 2019-01-01T00:00:00+0800
申请号: CN200580051562.8
公开号: CN101263589
代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
代理人: 李贵亮
分类号: H01L21/677(2006.01)I
申请人地址: 日本国宫城县
所属类别: 发明专利
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