专利名称: | 半导体装置的制造方法及半导体制造装置 |
摘要: | 本发明通过在含有氢气的惰性气体气氛中保持晶片,抑制晶片表面的 氢末端性在输送途中(20)等中变差。 |
专利类型: | 发明专利 |
申请人: | 大见忠弘 |
发明人: | 大见忠弘;寺本章伸;赤堀浩史 |
专利状态: | 有效 |
申请日期: | 2005-09-13T00:00:00+0800 |
发布日期: | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: | CN200580051562.8 |
公开号: | CN101263589 |
代理机构: | 中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人: | 李贵亮 |
分类号: | H01L21/677(2006.01)I |
申请人地址: | 日本国宫城县 |
所属类别: | 发明专利 |