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原文传递诊断装置、半导体制造装置系统、半导体装置制造系统以及诊断方法

专利名称：	诊断装置、半导体制造装置系统、半导体装置制造系统以及诊断方法
摘要：	提供检测静电卡盘的膜的表面状态的异常的技术。在对具备载置静电吸附于膜的样品的样品台的半导体制造装置的状态进行诊断的诊断装置中，取得对样品投入的能量的变化前后的温度数据，根据所取得的所述温度数据来探测膜的异常。
专利类型：	发明专利
申请人：	株式会社日立高新技术
发明人：	赵普社;朝仓凉次;角屋诚浩
专利状态：	有效
申请日期：	2022-03-14T00:00:00+0800
发布日期：	2023-11-14T00:00:00+0800
申请号：	CN202280005629.8
公开号：	CN117063065A
代理机构：	中科专利商标代理有限责任公司
代理人：	吴秋明
分类号：	G01N25/18;G;G01;G01N;G01N25;G01N25/18
申请人地址：	日本东京都
主权项：	1.一种诊断装置，对具备载置静电吸附于膜的样品的样品台的半导体制造装置的状态进行诊断，所述诊断装置的特征在于，取得对所述样品投入的能量的变化前后的温度数据，根据所取得的所述温度数据来探测所述膜的异常。 2.根据权利要求1所述的诊断装置，其特征在于，求取所述能量的变化前的所述温度数据的平均值与所述能量的变化后的所述温度数据的平均值的差，作为特征量。 3.根据权利要求1所述的诊断装置，其特征在于，求取所述温度数据的最大值与最小值的差，作为特征量。 4.根据权利要求1所述的诊断装置，其特征在于，使用所述温度数据的最大值与所述温度数据的最小值之间的数据来求取相对于时间的倾斜度，作为特征量。 5.根据权利要求1所述的诊断装置，其特征在于，求取预先定义的正常时的所述温度数据与所述温度数据的差分，作为特征量。 6.根据权利要求1所述的诊断装置，其特征在于，将作为所述温度数据的变化量或所述温度数据的变化速度的特征量、所述特征量的随时间变化或所述膜的异常有无的结果显示于GUI画面，并且提示所述膜异常的情况下的动作。 7.根据权利要求1所述的诊断装置，其特征在于，取代对所述样品投入的能量的变化前后的温度数据而取得所述样品的静电吸附前后的温度数据，根据所取得的所述温度数据来探测所述膜的异常。 8.根据权利要求1所述的诊断装置，其特征在于，取代对所述样品投入的能量的变化前后的温度数据而取得加热器的消耗电力量，根据所取得的加热器的消耗电力的变化数据来探测所述膜的异常。 9.一种半导体制造装置系统，其特征在于，具备权利要求1所述的诊断装置，其经由网络连接半导体制造装置。 10.根据权利要求9所述的半导体制造装置系统，其特征在于，所述诊断装置是个人计算机。 11.一种半导体装置制造系统，具备平台，所述平台安装有用于对具备载置静电吸附于膜的样品的样品台的半导体制造装置的状态进行诊断的应用，并且经由网络连接半导体制造装置，所述半导体装置制造系统的特征在于，通过所述应用执行如下步骤：取得对所述样品投入的能量的变化前后的温度数据；和根据所取得的所述温度数据来探测所述膜的异常。 12.一种诊断方法，对具备载置静电吸附于膜的样品的样品台的半导体制造装置的状态进行诊断，所述诊断方法的特征在于，具有如下工序：取得对所述样品投入的能量的变化前后的温度数据；和根据所取得的所述温度数据来探测所述膜的异常。
所属类别：	发明专利