专利名称: |
快速调整碳化硅切割角度的方法 |
摘要: |
一种快速调整碳化硅切割角度的方法,涉及碳化硅技术领域,其能够快速调整碳化硅切割角度的方法是通过晶体定向后得到的上垂线方向,对切割装载后晶体X和Y轴进行有意向的精确调整,从而达到客户需要的角度要求;并且,无论晶体角度多大,均可按照此方法对其进行调整,从而使切割后的晶圆角度可控精度,以达到客户需要的角度要求。所述快速调整碳化硅切割角度的方法中,待切割的晶体装载到切割设备时,需要将上垂线与切割线网平行,平边对面为线网开始切割方向,SI面朝外,使用千分表进行端面打表;降低角度的操作过程包括:晶体X轴角度降低和晶体X、Y轴角度同时降低;增大角度的操作过程包括:晶体X轴角度增大和晶体X、Y轴角度同时增大。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
河北;13 |
申请人: |
河北同光半导体股份有限公司 |
发明人: |
刘凯辉;郑向光;崔景光;赵伟帅;刘少华;高彦静 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2023-09-15T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2023-11-03T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN202311190955.3 |
公开号: |
CN116985283A |
代理机构: |
北京连城创新知识产权代理有限公司 |
代理人: |
许莉 |
分类号: |
B28D5/04;B;B28;B28D;B28D5;B28D5/04 |
申请人地址: |
071051 河北省保定市北三环6001号 |
主权项: |
1.一种快速调整碳化硅切割角度的方法,其特征在于, 待切割的晶体装载到切割设备时,需要将上垂线与切割线网平行,平边对面为线网开始切割方向,SI面朝外,使用千分表进行端面打表; 降低角度的操作过程包括:晶体X轴角度降低和晶体X、Y轴角度同时降低; 晶体X轴角度降低时,上垂线指向左侧方向,降低角度切割时需要右侧增加相应高度,也即右边抬高; 晶体X、Y轴角度同时降低时,上垂线指向左侧方向,且偏向第三象限,降低角度切割时需要下面降低相应高度同时右侧增加相应高度,也即下边降低和右边抬高;上垂线指向左侧方向,且偏向第二象限,降低角度切割时需要下面和右侧增加相应高度,也即下边和右边抬高; 增大角度的操作过程包括:晶体X轴角度增大和晶体X、Y轴角度同时增大; 晶体X轴角度增大时,上垂线指向左侧方向,增大角度切割时需要左侧增加相应高度,也即左边抬高; 晶体X、Y轴角度同时增大时,上垂线指向左侧方向,且偏向第三象限,增大角度切割时需要下面增加相应高度同时右侧降低相应高度,也即下边抬高和右边降低;上垂线指向左侧方向,且偏向第二象限,增大角度切割时需要下面和右侧降低相应高度,也即下边和右边降低。 |
所属类别: |
发明专利 |