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原文传递碳化硅晶棒多线切割方法

专利名称：	碳化硅晶棒多线切割方法
摘要：	一种碳化硅晶棒的多线切割方法，包括：在碳化硅晶棒的端面粘贴陪片；对粘贴有所述陪片的所述碳化硅晶棒进行多线切割，切割产生多个晶片，最外侧的所述晶片为端面晶片，所述端面晶片之外的所述晶片为中间晶片；分离所述陪片和所述端面晶片。所述碳化硅晶棒的多线切割方法提高碳化硅晶棒的端面晶片质量和良品率，降低碳化硅晶片的加工成本。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	福建;35
申请人：	厦门芯光润泽科技有限公司
发明人：	卓廷厚;罗求发;黄雪润
专利状态：	有效
申请日期：	2019-02-14T00:00:00+0800
发布日期：	2019-05-14T00:00:00+0800
申请号：	CN201910115290.7
公开号：	CN109747057A
代理机构：	厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：	吴圳添
分类号：	B28D5/04(2006.01);B;B28;B28D;B28D5
申请人地址：	361000 福建省厦门市火炬高新区火炬园火炬路56-58号火炬广场南楼203-76
主权项：	1.一种碳化硅晶棒的多线切割方法，其特征在于，包括：在碳化硅晶棒的端面粘贴陪片；对粘贴有所述陪片的所述碳化硅晶棒进行多线切割，切割产生多个晶片，最外侧的所述晶片为端面晶片，所述端面晶片之外的所述晶片为中间晶片；分离所述陪片和所述端面晶片。 2.根据权利要求1所述的碳化硅晶棒的多线切割方法，其特征在于，所述陪片的形状为圆柱形。 3.根据权利要求1所述的碳化硅晶棒的多线切割方法，其特征在于，所述端面晶片的厚度等于所述中间晶片的厚度；所述陪片的厚度等于所述中间晶片的厚度；在对所述碳化硅晶棒进行多线切割时，同时对所述陪片和所述碳化硅晶棒的粘贴位置进行切割；或者，所述端面晶片的厚度等于所述中间晶片的厚度；所述陪片的厚度大于所述中间晶片的厚度；在对所述碳化硅晶棒进行多线切割时，同时对所述陪片和所述碳化硅晶棒的粘贴位置进行切割；在对所述碳化硅晶棒进行多线切割时，还同时对所述陪片进行切割，被切割的所述陪片的厚度等于所述中间晶片的厚度；或者，所述端面晶片的厚度等于所述中间晶片的厚度；所述陪片的厚度小于或等于所述中间晶片的厚度；所述碳化硅晶棒的至少一个所述端面上，粘贴多个所述陪片；在对所述碳化硅晶棒进行多线切割时，同时对所述陪片和所述碳化硅晶棒的粘贴位置进行切割。 4.根据权利要求1所述的碳化硅晶棒的多线切割方法，其特征在于，所述端面晶片的厚度小于所述中间晶片的厚度；所述陪片和所述端面晶片的粘贴总厚度大于或等于所述中间晶片的厚度；在对所述碳化硅晶棒进行多线切割时，同时对所述陪片和所述碳化硅晶棒的粘贴位置进行切割；或者，所述端面晶片的厚度小于所述中间晶片的厚度；所述陪片和所述端面晶片的粘贴总厚度大于所述中间晶片的厚度；在对所述碳化硅晶棒进行多线切割时，同时对所述陪片进行切割，被切割的所述陪片的厚度，加上粘贴着的所述端面晶片的厚度，等于所述中间晶片的厚度；或者，所述端面晶片的厚度小于所述中间晶片的厚度；所述陪片的厚度小于或等于所述中间晶片的厚度；所述碳化硅晶棒的至少一个所述端面上，粘贴多个所述陪片；在对所述碳化硅晶棒进行多线切割时，同时对所述陪片和所述碳化硅晶棒的粘贴位置进行切割。 5.根据权利要求1所述的碳化硅晶棒的多线切割方法，其特征在于，所述端面晶片的厚度在400μm以上，所述中间晶片的厚度为500μm～650μm。 6.根据权利要求1所述的碳化硅晶棒的多线切割方法，其特征在于，在所述端面粘贴所述陪片之前，对所述端面进行表面处理。 7.根据权利要求1或6所述的碳化硅晶棒的多线切割方法，其特征在于，在所述端面粘贴所述陪片之前，对所述陪片的贴合面进行表面处理。 8.根据权利要求1所述的碳化硅晶棒的多线切割方法，其特征在于，所述陪片的材料为石英玻璃、单晶硅、蓝宝石或碳化硅中的一种。 9.根据权利要求1所述的碳化硅晶棒的多线切割方法，其特征在于，采用黄蜡、AB胶、UV胶、压敏胶、乳胶中的一种或几种粘所述贴陪片。 10.根据权利要求1所述的碳化硅晶棒的多线切割方法，其特征在于，在分离所述陪片和所述端面晶片后，对所述端面晶片进行退火处理。
所属类别：	发明专利