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一种恶性黑素瘤T细胞纳米抗体、其编码序列及应用
| 专利名称： | 一种恶性黑素瘤T细胞纳米抗体、其编码序列及应用 |
| 摘要： | 本发明涉及针对恶性黑素瘤T细胞抗原表位多肽Mart1的纳米抗体，本发明 还公开了同时提供该纳米抗体的编码序列，表达或能够表达所述纳米抗体的宿主 细胞，该纳米抗体能在大肠杆菌中高效表达，能应用于制备检测和治疗恶性黑素 瘤的药物组合物。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 江苏;32 |
| 申请人： | 无锡胜博生物技术有限公司 |
| 发明人： | 王大升 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2009-05-15T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN200910027803.5 |
| 公开号： | CN101550191 |
| 代理机构： | 南京经纬专利商标代理有限公司 |
| 代理人： | 李纪昌 |
| 分类号： | C07K16/28(2006.01)I |
| 申请人地址： | 214111江苏省无锡市无锡新区长江路7号科技园二区301-2号 |
| 主权项： | 1.一种恶性黑素瘤T细胞纳米抗体VHH链，其特征在于它的互补决定区CDR 具有选自下组的CDR的氨基酸序列： SEQ ID NO：11所示的CDR1，SEQ ID NO：12所示的CDR2，SEQ ID NO：13 所示的CDR3；或 SEQ ID NO：14所示的CDR1，SEQ ID NO：15所示的CDR2，SEQ ID NO：16 所示的CDR3；或 SEQ ID NO：17所示的CDR1，SEQ ID NO：18所示的CDR2，SEQ ID NO：19 所示的CDR3；或 SEQ ID NO：20所示的CDR1，SEQ ID NO：21所示的CDR2，SEQ ID NO：22 所示的CDR3；或 SEQ ID NO：23所示的CDR1，SEQ ID NO：24所示的CDR2，SEQ ID NO：25 所示的CDR3。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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