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原文传递 制作半导体传感器装置的方法及获得的半导体传感器装置
专利名称: 制作半导体传感器装置的方法及获得的半导体传感器装置
摘要: 本发明涉及一种制作半导体传感器装置(10)的方法,该半导体 传感器装置用于感测物质(30)且包括条带状半导体区域(1),该条 带状半导体区域形成在半导体主体(12)的表面上且在第一端连接到 第一导电连接区域(3)并且在第二端连接到第二导电连接区域(4), 同时包括待感测物质(30)的流体(20)可以沿着该条带状半导体区 域(1)的侧面流动且待感测物质(30)可以影响条带状半导体区域(1) 的电学属性,并且其中该条带状半导体区域(1)形成于位于绝缘层(5) 顶部上的半导体层(13)内,该绝缘层(5)依次形成于半导体衬底(14) 的顶部上。根据本发明,在该半导体层(13)内形成该条带状半导体 区域(1)之后,该衬底(2)在与该半导体衬底(14)相对侧附着到 包括该条带状半导体区域(1)的半导体主体(11)的部分,接着该半 导体衬底(14)至少部分且优选地完全除去且随后开口(6)在该条带 状半导体区域(1)的位置形成于该绝缘层(5)内。该方法适于规模 化生产并保护易于由流体(20)导致损坏的该装置(10)的部分。
专利类型: 发明专利
申请人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
发明人: N·N·卡亚
专利状态: 有效
申请日期: 2007-12-05T00:00:00+0800
发布日期: 2019-01-01T00:00:00+0800
申请号: CN200780045485.4
公开号: CN101553726
代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
代理人: 李亚非;刘 红
分类号: G01N27/414(2006.01)I
申请人地址: 荷兰艾恩德霍芬
主权项: 1.一种制作半导体传感器装置(10)的方法,该半导体传感器装 置用于感测物质(30)且包括条带状半导体区域(1),该条带状半导 体区域形成在包括衬底(2)的半导体主体(12)的表面上且在第一端 连接到第一导电连接区域(3)并且在第二端连接到第二导电连接区域 (4),同时包括待感测物质(30)的流体(20)可以沿着该条带状半 导体区域(1)的侧面流动且待感测物质(30)可以影响条带状半导体 区域(1)的电学属性,其中该条带状半导体区域(1)形成于位于绝 缘层(5)顶部上的半导体层(13)内,该绝缘层(5)依次形成于半 导体衬底(14)的顶部上,该方法的特征在于,在该半导体层(13) 内形成该条带状半导体区域(1)之后,该衬底(2)在与该半导体衬 底(14)相对侧附着到包括该条带状半导体区域(1)的半导体主体(11) 的部分,接着该半导体衬底(14)至少部分除去且随后开口(6)在该 条带状半导体区域(1)的位置形成于该半导体衬底(14)的任意剩余 部分内以及该绝缘层(5)内。
所属类别: 发明专利
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