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锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法
| 专利名称： | 锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法 |
| 摘要： | 锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法，它涉及锇膜电阻线构成的电阻 型原子氧传感器芯片的制造方法。本发明解决了现有工艺制备锇膜存在容易开 裂、原子氧测量的准确性差的问题。本发明方法如下：一、用物理气相沉积法 在基片上依次沉积铬膜和金膜；二、然后在金膜表面上电镀锇膜；三、在锇膜 表面形成线形的光刻胶图案；四、然后用电化学阳极溶解法刻蚀锇膜；五、再 用湿化学法刻蚀金膜，经去胶后即在基片表面形成锇膜电阻线。本发明制得芯 片的锇膜电阻线表面光滑平整，无微裂纹和针孔，线宽小，厚度大，因此该原 子氧传感器芯片的初始电阻较高，测量精度良好，原子氧反应率线性度高，可 连续在线长期稳定工作。本发明的方法工艺简单、操作方便。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 黑龙江;23 |
| 申请人： | 哈尔滨工业大学 |
| 发明人： | 贾 铮;姜利祥;李 涛;刘向鹏 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2009-05-13T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN200910072016.2 |
| 公开号： | CN101561407 |
| 代理机构： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 |
| 代理人： | 韩末洙 |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01)I |
| 申请人地址： | 150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |
| 主权项： | 1、锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法，其特征在于锇膜电阻线原 子氧传感器芯片的制造方法是按下述步骤完成的：一、用物理气相沉积法在基 片上依次沉积铬膜和金膜；二、然后在金膜表面上电镀锇膜；三、涂胶、前烘、 曝光、显影、坚膜后在锇膜表面形成线形的光刻胶图案；四、然后用电化学阳 极溶解法刻蚀锇膜；五、再用湿化学法刻蚀金膜，经去胶后在基片表面形成锇 膜电阻线，得到锇膜电阻线原子氧传感器芯片。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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