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等离子体监测方法和等离子体监测装置
| 专利名称： | 等离子体监测方法和等离子体监测装置 |
| 摘要： | 本发明提供一种即使在低电子密度条件或高压力条件下也可正确 测定等离子体中的电子密度的等离子体监测方法。该等离子体电子密 度测定装置在测定部(54)中具备矢量式的网络分析器(68)。由该网 络分析器(68)测定复数表示的反射系数，取得其虚部的频率特性， 并且测量控制部(74)读取复数反射系数的虚部零交叉点的谐振频率， 根据谐振频率算出电子密度的测定值。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 申请人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 发明人： | 松本直树;山泽阳平;輿水地盐;松土龙夫;濑川澄江 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2004-04-26T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN200910142798.2 |
| 公开号： | CN101587156 |
| 代理机构： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 |
| 代理人： | 龙 淳 |
| 分类号： | G01R31/00(2006.01)I |
| 申请人地址： | 日本东京都 |
| 主权项： | 1.一种等离子体监测方法，其特征在于，具有如下工序： 在可生成或导入等离子体的容器室内插入并装配绝缘管的工序； 将具有使前端部的芯线露出的探针部的同轴电缆插入所述绝缘管 的管内的工序； 在所述容器内不存在等离子体的状态下，对从所述绝缘管内的所 述探针部放出的电磁波的反射系数取得第一频率特性的工序； 在所述容器内存在等离子体的状态下，对从所述绝缘管内的所述 探针部放出的电磁波的反射系数取得第二频率特性的工序； 根据所述第一频率特性和所述第二频率特性，求出等离子体吸收 频率的测定值的工序。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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