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扫描电镜或真空设备内的离子溅射镀膜与刻蚀装置
| 专利名称： | 扫描电镜或真空设备内的离子溅射镀膜与刻蚀装置 |
| 摘要： | 扫描电镜或真空设备内的离子溅射镀膜与刻蚀装置，具有摄像头、扫描电镜物镜、 平面反射镜、靶集成离子枪等。在真空室中设有通气、通电法兰接口和观察窗，靶集成 离子枪置于真空室内，靶材由支架固定于离子枪的前端，平面反射镜置于样品座的侧上 方。靶集成离子枪与通电法兰之间有高压导线连接，氩气由通气法兰接口送进靶集成离 子枪。氩气在靶集成离子枪内经高压电离、加速，或再经磁透镜汇聚形成离子束轰击靶 材，溅射出的靶材原子撞击样品的表面并形成镀层；或者调整样品台的高度，使离子束 直接刻蚀挡板后面的样品表面。本装置的加入不对电镜所具有的功能产生任何影响，并 使离子溅射镀层表面均匀致密、洁净，满足纳米结构表面的形貌观察。 |
| 专利类型： | 实用新型专利 |
| 国家地区组织代码： | 天津;12 |
| 申请人： | 天津大学 |
| 发明人： | 姚 琲;刘 平;许 军;王秀奎 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2009-01-05T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN200920095215.0 |
| 公开号： | CN201374309 |
| 代理机构： | 天津盛理知识产权代理有限公司 |
| 代理人： | 董一宁 |
| 分类号： | H01J37/28(2006.01)I |
| 申请人地址： | 300072天津市南开区卫津路92号 |
| 主权项： | 1.扫描电镜或真空设备内的离子溅射镀膜与刻蚀装置，具有真空室(1)、摄像头 (2)、扫描电镜物镜(3)、样品座(4)、平面反射镜(5)，其特征是在真空室(1)侧 壁备用法兰接口(13)处依次设有通气法兰接口(6)、通电法兰接口(7)和观察窗口 (8)，靶集成离子枪(9)置于真空室内，靶材(10)由支架固定于靶集成离子枪(9) 的前端，平面反射镜(5)置于样品座(4)的侧上方，样品(11)置于样品座(4)上 面，在样品(11)的外侧设有挡板(12)，靶集成离子枪(9)与通电法兰(7)之间有 高压导线连接，压力为0.1-0.15MPa的氩气由通气法兰接口(6)输送进靶集成离子枪 (9)，氩气在靶集成离子枪(9)内部经1-10kV高压电离、加速，或再经磁透镜汇聚形 成离子束轰击靶材(10)，溅射出的靶材原子撞击样品(11)的表面并形成镀层。 |
| 所属类别： | 实用新型 |
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