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原文传递 高压4H-SiC MOSFET器件设计与可靠性研究
论文题名: 高压4H-SiC MOSFET器件设计与可靠性研究
关键词: 高压;MOSFET;4H-SiC;器件设计
作者: 郭元旭
专业: 微电子学与固体电子学
导师: 邓小川
授予学位: 硕士
授予学位单位: 电子科技大学
学位年度: 2018
正文语种: 中文
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