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原文传递 低功耗4H-SiC沟槽IGBT的仿真研究
论文题名: 低功耗4H-SiC沟槽IGBT的仿真研究
关键词: 低功耗;4H-SiC;沟槽;IGBT
作者: 毛鸿凯
专业: 电子科学与技术
导师: 王颖
授予学位: 硕士
授予学位单位: 杭州电子科技大学
学位年度: 2020
正文语种: 中文
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