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原文传递 超高压4H-SiC MOSFET器件设计及关键工艺研究
论文题名: 超高压4H-SiC MOSFET器件设计及关键工艺研究
关键词: 超高压;MOSFET;4H-SiC;器件设计
作者: 谭犇
专业: 微电子学与固体电子学
导师: 邓小川
授予学位: 硕士
授予学位单位: 电子科技大学
学位年度: 2019
正文语种: 中文
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