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4H-SiC MOSFET 器件新结构及反向恢复特性研究
论文题名:
4H-SiC MOSFET 器件新结构及反向恢复特性研究
关键词:
MOSFET;4H-SiC;器件;新结构;反向恢复
作者:
张科
专业:
微电子学与固体电子学
导师:
张金平
授予学位:
硕士
授予学位单位:
电子科技大学
学位年度:
2020
正文语种:
中文
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