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原文传递 4H-SiC MOSFET 器件新结构及反向恢复特性研究
论文题名: 4H-SiC MOSFET 器件新结构及反向恢复特性研究
关键词: MOSFET;4H-SiC;器件;新结构;反向恢复
作者: 张科
专业: 微电子学与固体电子学
导师: 张金平
授予学位: 硕士
授予学位单位: 电子科技大学
学位年度: 2020
正文语种: 中文
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