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高压4H-SiC MOSFET器件设计与结构研究
论文题名:
高压4H-SiC MOSFET器件设计与结构研究
关键词:
高压;MOSFET;4H-SiC;器件设计
作者:
宋瓘
专业:
集成电路工程
导师:
杜丽霞;白云
授予学位:
硕士
授予学位单位:
兰州交通大学
学位年度:
2019
正文语种:
中文
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