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原文传递 高压4H-SiC MOSFET器件设计与结构研究
论文题名: 高压4H-SiC MOSFET器件设计与结构研究
关键词: 高压;MOSFET;4H-SiC;器件设计
作者: 宋瓘
专业: 集成电路工程
导师: 杜丽霞;白云
授予学位: 硕士
授予学位单位: 兰州交通大学
学位年度: 2019
正文语种: 中文
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