专利名称: | 晶片的检测方法及检测装置 |
摘要: | 本发明提供了一种晶片的检测方法及检测装置,该方法包括步骤:以晶片的中心为圆心将晶片表面划分为至少2个检测区域,将每个检测区域划分为至少2个待检模块;对不同检测区域进行检测,并选择至少2个位于不同检测区域内的待检模块的检测数据进行比较,当所述检测数据差值超过预定范围,则发出异常信息,本发明可以提高对渐变式缺陷的检测精度。 |
专利类型: | 发明专利 |
国家地区组织代码: | 上海;31 |
申请人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人: | 杨健;陈思安;阎海滨 |
专利状态: | 有效 |
申请日期: | 2009-08-14T00:00:00+0800 |
发布日期: | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: | CN200910056520.3 |
公开号: | CN101996908A |
代理机构: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人: | 李丽 |
分类号: | H01L21/66(2006.01)I |
申请人地址: | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |
主权项: | 一种晶片的检测方法,其特征在于,包括步骤:以晶片的中心为圆心将晶片表面划分为至少2个检测区域,将每个检测区域划分为至少2个待检模块;对不同检测区域进行检测,并选择至少2个位于不同检测区域内的待检模块的检测数据进行比较,当所述检测数据差值超过预定范围,则发出异常信息。 |
所属类别: | 发明专利 |