专利名称: | 晶片承载器轨道 |
摘要: | 本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)工艺的装置。在一个实施方案中,提供用于使晶片承载器在气相沉积反应器系统内漂浮和横移的晶片承载器轨道,晶片承载器轨道包括轨道组件的上部和下部,上部和下部具有在其之间形成的气体空腔。导向路径沿着上部的上表面并且在两个侧表面之间延伸,两个侧表面沿着导向路径并且在导向路径上方并且平行于彼此延伸。沿着导向路径的多个气体孔从上部的上表面延伸,穿过上部,并且进入气体空腔中。在某些实施例中,轨道组件的上部和下部可以独立地包括石英,并且在某些实施例中可以被熔合在一起。 |
专利类型: | 发明专利 |
申请人: | 奥塔装置公司 |
发明人: | 何甘;雷格·东克;凯思德·索拉布吉;罗杰·哈曼吉;安德瑞斯·海吉杜斯 |
专利状态: | 有效 |
申请日期: | 2010-03-16T00:00:00+0800 |
发布日期: | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: | CN201080020492.0 |
公开号: | CN102422407A |
分类号: | H01L21/673(2006.01)I |
申请人地址: | 美国加利福尼亚州 |
所属类别: | 发明专利 |