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氧化锌基半导体的拉曼散射增强基底及其制备方法和应用
| 专利名称： | 氧化锌基半导体的拉曼散射增强基底及其制备方法和应用 |
| 摘要： | 本发明涉及基于表面增强拉曼散射效应的纳米结构器件，特别涉及具有良好生物兼容性的氧化锌基半导体的拉曼散射增强基底和制备方法，以及用这种基底进行溶液中联吡啶钌分子的检测。本发明利用电化学的方法，在ITO导电玻璃的表面制备出氧化锌纳米棒阵列，从而制备得到了具有良好生物兼容性的氧化锌基半导体的拉曼散射增强基底。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 发明人： | 师文生;王晓天;佘广为;穆丽璇 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2011-10-28T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201110333843.X |
| 公开号： | CN102507531A |
| 代理机构： | 上海智信专利代理有限公司 31002 |
| 代理人： | 李柏 |
| 分类号： | G01N21/65(2006.01)I |
| 申请人地址： | 100190 北京市海淀区中关村北一条2号 |
| 主权项： | 一种氧化锌基半导体的拉曼散射增强基底，其特征是：所述的拉曼散射增强基底是由分布在ITO导电玻璃表面的氧化锌纳米棒阵列构成。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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