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一种高硅抛光片表面贵金属离子回收率测试方法
| 专利名称： | 一种高硅抛光片表面贵金属离子回收率测试方法 |
| 摘要： | 本发明涉及一种高硅抛光片表面贵金属离子回收率测试方法，通过采用新型萃取液对高硅抛光片表面贵金属离子萃取回收，提取贵金属，萃取液由低浓度的硝酸和盐酸配制而成，通过化学反应实现萃取液对贵金属元素的回收；采用新型萃取液，能够解决原有萃取液对于硅抛光片表面贵金属回收率低的问题，使铂Pt、银Ag、钯Pd和金Au的回收率达到了70%以上，提高硅抛光片表面贵金属测试的稳定性，从而满足对于硅抛光片表面贵金属离子的测试要求。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 天津;12 |
| 申请人： | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 发明人： | 王国瑞;吕莹;吕宁;李翔 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2011-12-15T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201110420556.2 |
| 公开号： | CN102520054A |
| 代理机构： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 |
| 代理人： | 莫琪 |
| 分类号： | G01N27/62(2006.01)I |
| 申请人地址： | 300384 天津市西青区华苑技术产业园区（环外）海泰发展一路8号 |
| 主权项： | 一种高硅抛光片表面贵金属离子回收率测试方法，其特征在于，通过采用新型萃取液对高硅抛光片表面贵金属离子萃取回收，提取贵金属，使铂Pt、银Ag、钯Pd和金Au的回收率大于70%，所述萃取液由低浓度的硝酸和盐酸配制而成，通过化学反应实现萃取液对贵金属元素的回收；其化学反应式为：Au?+?HNO3?+?4HCl?=?H[AuCl4]?+?NO↑+?2H2O??3Pt?+?4HNO3?+?18HCl?=?3H2[PtCl6]?+?4NO↑+?8H2O?Ag+HNO3+HCl=AgCl+NO2+H2O?2HNO3+1 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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