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原文传递晶片承载器轨道

专利名称：	晶片承载器轨道
摘要：	本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)工艺的装置。在一个实施方案中，提供用于使晶片承载器在气相沉积反应器系统内漂浮和横移的晶片承载器轨道，晶片承载器轨道包括轨道组件的上部和下部，上部和下部具有在其之间形成的气体空腔。导向路径沿着上部的上表面并且在两个侧表面之间延伸，两个侧表面沿着导向路径并且在导向路径上方并且平行于彼此延伸。沿着导向路径的多个气体孔从上部的上表面延伸，穿过上部，并且进入气体空腔中。在某些实施例中，轨道组件的上部和下部可以独立地包括石英，并且在某些实施例中可以被熔合在一起。
专利类型：	发明专利
申请人：	奥塔装置公司
发明人：	何甘;雷格·东克;凯思德·索拉布吉;罗杰·哈曼吉;安德瑞斯·海吉杜斯
专利状态：	有效
申请日期：	2010-03-16T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201080020492.0
公开号：	CN102422407A
代理机构：	北京安信方达知识产权代理有限公司 11262
代理人：	李冬梅;郑霞
分类号：	H01L21/673(2006.01)I
申请人地址：	美国加利福尼亚州
主权项：	一种用于使晶片承载器在气相沉积反应器系统内漂浮和横移的晶片承载器轨道，包括：轨道组件的上部，其被布置在所述轨道组件的下部上；气体空腔，其被形成在所述轨道组件的所述上部和所述下部之间；导向路径，其沿着所述上部的上表面延伸；两个侧表面，其沿着所述导向路径并且在所述导向路径上方并且平行于彼此延伸，其中所述导向路径在所述两个侧表面之间延伸；多个气体孔，其在所述导向路径内并且从所述上部的所述上表面延伸，穿过所述上部，并且进入所述气体空腔中；以及被布置在所述轨道组件的一端处的上搭接接合部和被布置在所述轨道组件的相对端
所属类别：	发明专利