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原文传递一种半导体结构及其制备方法

专利名称：	一种半导体结构及其制备方法
摘要：	本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法；本发明通过在刻蚀形成栅极线的过程中刻蚀部分的栅绝缘层，从而降低了源漏区离子注入工艺中所需的离子的剂量，提高了离子注入的产能，且后续进行活化工艺时活化氢可更多的扩散至栅绝缘层与多晶硅层接触的界面，以减少栅绝缘层与多晶硅层接触的界面上的漏电流，从而改善了后续制备的器件结构，进而提升了器件性能。
专利类型：	发明专利
申请人：	上海和辉光电有限公司
发明人：	严晓龙;郝志强;林佳木
专利状态：	有效
申请日期：	2015-03-31T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201510151431.2
公开号：	CN104882482A
代理机构：	上海申新律师事务所 31272
代理人：	吴俊
分类号：	H01L29/78(2006.01)I
申请人地址：	201506 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室
主权项：	一种半导体结构，其特征在于，应用于MOS器件的源漏区离子注入工艺中，所述半导体结构包括：半导体衬底；多晶硅层，设置于所述半导体衬底之上，且所述多晶硅层中形成有源漏区；栅绝缘层，覆盖所述多晶硅层的上表面；栅极线，设置于所述栅绝缘层之上；其中，位于所述栅极线下方的栅绝缘层的厚度大于暴露的栅绝缘层的厚度。
所属类别：	发明专利