专利名称: |
一种激光退火方法 |
摘要: |
本发明公开了一种激光退火方法,使用一激光退火装置对一基板上的半导体结构表面进行扫描,所述激光退火装置包括激光源和光学器具,包括:所述激光源提供一激光束;所述激光束投射在一镜面上,行进路线改变90°后通过所述光学器具进行会聚;使用该激光束对所述基板进行扫描;所述激光束以脉冲序列组的方式产生,所述脉冲序列组包括M组脉冲序列,每一组所述脉冲序列包括N个脉冲,其中,M和N为大于1的自然数。本发明可以减少非晶硅氧化可能,改善硅基片电性,并且由于进行激光退火的机台不再需要设置内部腔体,可以减少机台重量,机台保养上也变得较为容易。 |
专利类型: |
发明专利 |
申请人: |
上海和辉光电有限公司 |
发明人: |
江昌翰;叶昱钧;钟尚骅 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2013-04-26T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201310151573.X |
公开号: |
CN104124135A |
代理机构: |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人: |
竺路玲 |
分类号: |
H01L21/02(2006.01)I |
申请人地址: |
201506 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室 |
主权项: |
一种激光退火方法,使用一激光退火装置对一基板上的半导体结构表面进行扫描,所述激光退火装置包括激光源和光学器具,其特征在于,所述激光退火方法包括:所述激光源(2)提供一激光束(0);所述激光束投射在一镜面(4)上,行进路线改变90°后通过所述光学器具(3)进行会聚;使用该激光束(0)对所述基板(1)表面的非晶硅区域(11)进行快速扫描;其中,所述激光束(0)以脉冲序列组的方式产生,所述脉冲序列组包括M组脉冲序列,每一组所述脉冲序列包括N个脉冲,其中,M和N均为大于1的自然数。 |
所属类别: |
发明专利 |