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一种二氧化硅介电材料用化学机械抛光液及其制备方法
| 专利名称： | 一种二氧化硅介电材料用化学机械抛光液及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明涉及一种二氧化硅介电材料用化学机械抛光液，以所述化学机械抛光液的总重量为基准计，包含以下重量百分比的组分：氧化物抛光颗粒1-50wt%；余量为pH调节剂和水性介质；其中所述氧化物抛光颗粒为胶体二氧化硅；制备过程中：先制备硅酸水溶液，然后取所述硅酸水溶液加热至沸15-60min，继而3分钟内“速冷”至20~50℃，然后重新加热至沸，然后持续滴入前述制备的硅酸水溶液制得胶体二氧化硅溶液，然后过滤、浓缩得到硅溶胶；继而加水性介质稀释并用pH调节剂调节酸碱性即制得所述化学机械抛光液；将所述抛光液应用于半导体中氧化硅介电材料的CMP工艺领域中，具有大大提高氧化硅薄膜去除速率的特点。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 申请人： | 上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 发明人： | 梁晨亮;王良咏;宋志棠;刘卫丽;秦飞 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2013-09-13T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201310419636.5 |
| 公开号： | CN103484024A |
| 代理机构： | 上海光华专利事务所 31219 |
| 代理人： | 梁海莲 |
| 分类号： | C09G1/02(2006.01)I |
| 申请人地址： | 201506 上海市金山区金山工业区天工路285弄2幢 |
| 主权项： | 一种二氧化硅介电材料用化学机械抛光液，以所述化学机械抛光液的总重量为基准计，包含以下重量百分比的组分：氧化物抛光颗粒????1?50wt%；余量为pH调节剂和水性介质。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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