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原文传递一种绝缘体上硅材料的制备方法

专利名称：	一种绝缘体上硅材料的制备方法
摘要：	本发明提供了一种绝缘体上硅材料的制备方法，包括：选用初始衬底硅片；在初始衬底硅片上涂抹介电质层溶剂；将初始衬底硅片高温蒸馏介电质层溶剂，固化成二氧化硅层；使用高温退火将二氧化硅层与顶层硅晶锭紧密键合，形成绝缘体上硅材料。本发明制备方法降低了绝缘体上硅材料的制备难度,具有材料制备工艺简单，设备通用性强，制造成本低的优点。
专利类型：	发明专利
申请人：	上海新储集成电路有限公司
发明人：	亢勇;陈邦明
专利状态：	有效
申请日期：	2012-03-16T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201210070279.1
公开号：	CN102543691A
代理机构：	上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257
代理人：	董红曼
分类号：	H01L21/20(2006.01)I
申请人地址：	201506 上海市金山区亭卫公路6505号2栋8号
主权项：	一种绝缘体上硅材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：选用初始衬底硅片（1）；?步骤二：在所述初始衬底硅片（1）上涂抹介电质层溶剂（2）；步骤三：将所述初始衬底硅片（1）置于高温下蒸馏所述介电质层溶剂（2），在所述初始衬底硅片（1）表面固化得到二氧化硅层（3）；步骤四：使用高温退火将所述初始衬底硅片（1）通过二氧化硅层（3）与顶层硅晶锭（4）紧密键合，形成绝缘体上硅材料（5）。
所属类别：	发明专利