原文传递
一种改性的纳米氧化铈及其制备与应用
| 专利名称： | 一种改性的纳米氧化铈及其制备与应用 |
| 摘要： | 本发明涉及一种改性的纳米氧化铈及其制备与应用。本发明采用硅烷偶联剂氨丙基三乙氧基硅烷对纳米氧化铈粉末进行改性。由改性后的氧化铈配制成的抛光液，对超大规模集成电路二氧化硅层间介质和光盘玻璃进行抛光，可明显降低表面的粗糙度。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 申请人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 发明人： | 张泽芳;刘卫丽;宋志棠 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2009-09-22T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN200910196102.4 |
| 公开号： | CN101659850 |
| 代理机构： | 上海光华专利事务所 |
| 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 分类号： | C09K3/14(2006.01)I |
| 申请人地址： | 200050上海市长宁区长宁路865号 |
| 主权项： | 1.一种纳米氧化铈的表面改性方法，包括下列步骤： 1)将硅烷偶联剂KH550溶于水后与纳米氧化铈粉体混合，配置成氧化铈重量百分含量为1～10％的分散液； 2)然后用磁力搅拌搅匀，并超声处理后，制得氧化铈分散液； 3)将上述分散液加热至反应温度70～100℃，回流反应1～12小时； 4)反应完毕后，离心分离、提纯、烘干，最终得到经过KH550改性的氧化铈磨粒。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
检索历史
应用推荐
