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硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用
| 专利名称： | 硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于硫系化合物相变薄膜材料GexSbyTe (1－x－y)化学机械抛光(CMP)的纳米抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该CMP纳米抛光液包含有氧化剂、螯合剂、pH调节剂、纳米研磨料、抗蚀剂、表面活性剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境，主要用于制造相变存储器关键材料GexSbyTe (1－x－y)的CMP。利用上述抛光液采用化学机械抛光方法去除多余的相变薄膜材料GexSbyTe (1－x－y)制备纳电子器件相变存储器，方法简单易行。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 申请人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 发明人： | 张楷亮;宋志棠;刘波;刘卫丽;封松林;陈邦明 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2004-09-24T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN200410066674.8 |
| 公开号： | CN1616572 |
| 代理机构： | 上海智信专利代理有限公司 |
| 代理人： | 潘振甦 |
| 分类号： | C09G1/02 |
| 申请人地址： | 200050上海市长宁区长宁路865号 |
| 主权项： | 1.一种用于硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液，其特征在于纳米抛光液含有： (1)一种或两种氧化剂，其含量为0.5～20.0wt％； (2)至少一种螯合剂，其含量为0.1～10.0wt％； (3)一种或两种金属氧化物纳米研磨料，其含量为1.0～20.0wt％； (4)至少一种抗蚀剂，其含量为0.05～5.0wt％； (5)一种或两种表面活性剂，其含量为0.01～2.0wt％； (6)以及pH调节剂和作溶剂的去离子水，pH值为3～12。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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