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基于SERS技术快速检测水环境中痕量铀酰离子的方法
| 专利名称： | 基于SERS技术快速检测水环境中痕量铀酰离子的方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于SERS技术快速检测水环境中痕量铀酰离子的方法，包括如下步骤：1)SERS基底的制备；2)铀酰离子DNAzyme反应液的配备；3)SERS生物传感芯片的修饰；将与双链DNA有部分碱基互补的单链DNA拿出解冻，离心后配置成一定浓度，修饰得到DNA的SERS基底。4)铀酰离子的表面增强拉曼检测；将一定浓度的铀酰离子水样滴入到步骤2)配置好的双链DNAzyme反应液中，反应一段时间，并将混合液滴在步骤3)处理后的SERS基底上，反应一段时间后，做拉曼检测。本发明建立的检测方法具有灵敏度高、选择性好、抗基体干扰能力强、简单快速等优点。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 四川;51 |
| 申请人： | 中国工程物理研究院化工材料研究所 |
| 发明人： | 汪小琳;何璇 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810529834.X |
| 公开号： | CN108593626A |
| 代理机构： | 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 |
| 代理人： | 刘兴亮;吴瑞芳 |
| 分类号： | G01N21/65(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/65 |
| 申请人地址： | 621000 四川省绵阳市绵山路64号 |
| 主权项： | 1.一种基于SERS技术快速检测水环境中痕量铀酰离子的方法，其特征在于包括如下步骤：1)SERS基底的制备：先用光刻法结合深硅刻蚀技术，在硅片上刻蚀一定排列方式的纳米硅柱阵列；然后以纳米硅柱阵列为模板，通过原子层沉积法均匀制备ZnO薄膜；接着用水浴法组装一定形状的纳米氧化锌片硅柱阵列，退火处理后，磁控溅射纳米银构筑复合芯片，得到超灵敏表面增强拉曼有序复合阵列芯片；2)铀酰离子DNAzyme反应液的配备：将与铀酰离子有特异性响应的双链DNA拿出解冻，离心后配置成一定浓度，备用；3)SERS生物传感芯片的修饰；将与双链DNA有部分碱基互补的单链DNA拿出解冻，离心后配置成一定浓度，滴在步骤一新制备好的干净的SERS基底上，将基底放置在湿润的环境中，孵育8h；接着将修饰好DNA的SERS基底用纯水冲洗，浸没在6‑巯基‑1‑乙醇的水溶液中一段时间；4)铀酰离子的表面增强拉曼检测；将一定浓度的铀酰离子水样滴入到步骤2)配置好的双链DNAzyme反应液中，反应一段时间，并将混合液滴在步骤3)处理后的SERS基底上，反应一段时间后，做拉曼检测。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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