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多晶硅锭整锭光电转化效率分布的表征方法及比较方法
| 专利名称： | 多晶硅锭整锭光电转化效率分布的表征方法及比较方法 |
| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅锭整锭光电转化效率分布的表征方法及比较方法，包括如下步骤：步骤1：将多晶硅锭整锭切片，得到若干个硅片；步骤2：对步骤1所得若干个硅片分别进行PL检测，得到各个硅片的位错密度；步骤3：选取n个区间(xi，xi+1](i＝1，n；xi |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 江苏;32 |
| 申请人： | 镇江仁德新能源科技有限公司 |
| 发明人： | 余刚;王剑;丁一 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810320286.X |
| 公开号： | CN108445006A |
| 代理机构： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 |
| 代理人： | 秦秋星 |
| 分类号： | G01N21/84(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I;G;G01;G06;G01N;G06F;G01N21;G06F17;G01N21/84;G06F17/50 |
| 申请人地址： | 212200 江苏省镇江市扬中市经济开发区港隆路998号 |
| 主权项： | 1.一种多晶硅锭整锭光电转化效率分布的表征方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将多晶硅锭整锭切片，得到若干个硅片；步骤2：对步骤1所得若干个硅片分别进行PL检测，得到各个硅片的位错密度；步骤3：选取n个区间(xi，xi+1](i＝1，n；xi |
| 所属类别： | 发明专利 |
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