原文传递
密度分布型的微型色谱柱芯片及其制造方法
| 专利名称： | 密度分布型的微型色谱柱芯片及其制造方法 |
| 摘要： | 本公开提供了一种密度分布型的微型色谱柱芯片及其制造方法，由于接近入口部分的沟道内气阻较小，越接近色谱柱的出口气阻越大，气体在整个色谱沟道内的流速及压强分布非常不均，因此本公开通过改变沟道内立柱墙的设置密度，在提高色谱沟道体表面积与样品容量的同时，优化了色谱沟道内的流速与压强分布，使其趋于一致，有利于固定相在色谱沟道内的均匀涂覆，从而实现样品的高效分离。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 发明人： | 孙建海;薛宁;刘春秀;赵佩月 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810042057.6 |
| 公开号： | CN108254465A |
| 代理机构： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
| 代理人： | 曹玲柱 |
| 分类号： | G01N30/02(2006.01)I;G01N30/60(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N30;G01N30/02;G01N30/60 |
| 申请人地址： | 100190 北京市海淀区北四环西路19号 |
| 主权项： | 1.一种密度分布型的微型色谱柱芯片，包括：第一基底，包括：色谱沟道，在第一基底上通过蚀刻的方法构成若干色谱沟道；气体入口，其与所述色谱沟道的第一端连接；以及气体出口，其与所述色谱沟道的第二端连接；立柱，若干所述立柱设置于色谱沟道内；每条所述色谱沟道内的所述立柱的设置密度自气体入口向气体出口方向逐渐减少；以及第二基底，其第二表面与所述第一基底第一表面键合密封。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
检索历史
应用推荐
