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一种多效应检测集成气体传感器制造方法的制造方法、传感器及其应用
| 专利名称： | 一种多效应检测集成气体传感器制造方法的制造方法、传感器及其应用 |
| 摘要： | 一种多效应检测集成气体传感器制造方法的制造方法、传感器及其应用，属于传感器技术领域。技术要点：利用薄膜工艺在基底上制作芯片电极，利用微加工技术制造带有隔热槽的芯片基板，利用微滴涂工艺涂布敏感材料和载体材料，烧结处理，催化剂涂布，引线焊接封帽。实现了对气体的检测限的拓宽，同时，利用半导体式气体传感器检测下限较低，当半导体传感器检测到微量气体时，催化气体传感器可认为被测气体浓度接近零，实现对催化式气体传感器的“零点”校准，利用半导体式气体传感器上限具有饱和区特点来实现对催化式气体传感器特定浓度下的校准，从而提高了集成传感器芯片的智能化水平，提高了芯片使用可靠性。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 重庆;50 |
| 申请人： | 重庆海士测控技术有限公司;哈尔滨工程大学 |
| 发明人： | 安文斗;张洪泉;张凯 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810503081.5 |
| 公开号： | CN108732212A |
| 代理机构： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 |
| 代理人： | 李晓敏 |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/12 |
| 申请人地址： | 401120 重庆市渝北区龙山街道龙山三路76号春风城市心筑2幢1商铺1 |
| 主权项： | 1.一种多效应检测集成气体传感器制造方法，其特征在于，具体步骤为：a、利用平面薄膜工艺技术，在敏感基底上分别制作半导体敏感单元的金属加热电极和信号电极，以及催化敏感单元及催化补偿单元的金属加热信号电极；b、利用微加工技术，将敏感基底加工成带有镂空隔热槽的芯片基板；c、利用微滴涂工艺技术，将半导体敏感材料和催化载体材料分别涂布在各敏感单元上；d、放置在烧结炉中烧结处理；e、利用微滴涂工艺技术，将催化剂涂布在催化敏感单元的一个敏感桥臂的载体上；f、放置在烧结炉中热处理，制作好集成气体传感器芯片；g、利用焊接技术，将敏感芯片电极用金属引线引出到专用管座上，封上带有通气孔的专用管帽，完成气体传感器的制作。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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