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缺陷测定方法、缺陷测定装置及检查探头
| 专利名称： | 缺陷测定方法、缺陷测定装置及检查探头 |
| 摘要： | 本发明定量地测定磁性体构件中的缺陷。使用具备磁铁(2)和配置于由磁铁(2)及磁性体管(P)形成的磁回路上且对在该磁回路中流通的磁通密度进行检测的霍尔元件(3)的检查探头(100)，并测定霍尔元件(3)的输出，基于霍尔元件(3)的输出来判定有无缺陷并算出缺陷的深度。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 日本;JP |
| 申请人： | 住友化学株式会社 |
| 发明人： | 多田丰和;末次秀彦 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201680041309.2 |
| 公开号： | CN107850570A |
| 代理机构： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
| 代理人： | 王永红 |
| 分类号： | G01N27/82(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/82 |
| 申请人地址： | 日本国东京都 |
| 主权项： | 一种缺陷测定方法，其用于检查磁性体构件的缺陷，所述缺陷测定方法的特征在于，包括：测定工序，在该测定工序中，使用具备磁铁和磁传感器的检查探头，并测定所述磁传感器的输出，所述磁传感器配置于由所述磁铁及所述磁性体构件形成的磁回路上，且对在该磁回路中流通的磁通密度进行检测；以及算出工序，在该算出工序中，基于所述磁传感器的输出来判定所述磁性体构件有无缺陷，并算出所述磁性体构件与所述磁铁对置的方向上的所述磁性体构件的缺陷的深度。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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