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原文传递缺陷检查装置以及缺陷检查方法

专利名称：	缺陷检查装置以及缺陷检查方法
摘要：	目的在于提供一种缺陷检查装置，在通过激光照射来加热作为被检查物的样品(17)并进行检查时，抑制检查区域外的温度上升，提高空洞的检测分辨率。缺陷检查装置具备：载置台(3)，载置样品(17)，该样品(17)包括通过接合材料接合的第一部件(15)和第二部件(16)；激光光源(1)，对第一部件(15)被载置于载置台(3)的样品(17)所包括的第二部件(16)的表面照射激光而加热样品；以及红外线照相机(2)，检测从被激光加热的第二部件(16)的表面辐射的红外线。载置台(3)包括冷却部(3a)，该冷却部(3a)冷却样品(17)所包括的第一部件(15)。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	日本;JP
申请人：	三菱电机株式会社
发明人：	川岛裕史;上田高敬;江草稔;境纪和;锦户良太
专利状态：	有效
申请日期：	2018-05-11T00:00:00+0800
发布日期：	2019-12-27T00:00:00+0800
申请号：	CN201880028252.1
公开号：	CN110621988A
代理机构：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：	许海兰
分类号：	G01N25/72(2006.01);G;G01;G01N;G01N25
申请人地址：	日本东京
主权项：	1.一种缺陷检查装置，包括：载置台(3)，载置样品(17)，该样品(17)包括通过接合材料接合的第一部件和第二部件；激光光源(1)，对所述第一部件被载置于所述载置台(3)的所述样品(17)所包括的所述第二部件的表面照射激光而加热所述样品(17)；以及红外线照相机(2)，检测从被所述激光加热的所述第二部件的所述表面辐射的红外线，其中，所述载置台(3)包括冷却部(3a)，该冷却部(3a)冷却所述样品(17)所包括的所述第一部件。 2.根据权利要求1所述的缺陷检查装置，其中，还具备控制部(6)，该控制部(6)基于由所述红外线照相机(2)检测的所述红外线的强度，对所述第一部件与所述第二部件的接合状态进行解析。 3.根据权利要求1或者2所述的缺陷检查装置，其中，还具备掩模(20)，该掩模(20)设置于所述载置台(3)的上方，面积比从所述上方照射的所述激光的照射区域(1c)大，所述掩模(20)包括开口部(21)，该开口部(21)贯通所述掩模(20)，露出位于所述掩模(20)的下方而载置于所述载置台(3)的所述样品(17)的所述第二部件的所述表面。 4.根据权利要求3所述的缺陷检查装置，其中，还具备冷却机构，该冷却机构冷却所述掩模(20)。 5.根据权利要求3或者4所述的缺陷检查装置，其中，所述掩模(20)的材料包括针对所述激光的波长具有比所述样品(17)具有的吸收系数高的吸收系数的材料。 6.根据权利要求3至5中的任意一项所述的缺陷检查装置，其中，所述掩模(20a)在所述开口部(21a)的边缘具有倾斜面(22)，所述倾斜面(22)以比入射于所述第二部件的所述表面的所述激光的入射角大的角度，从所述开口部(21a)的中心朝向所述掩模(20a)的外侧向上方倾斜。 7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的缺陷检查装置，其中，还具备光束阻尼器(11)，该光束阻尼器(11)设置于在所述样品(17)的所述第二部件的所述表面反射的所述激光传播的反射光路(1b)上，吸收在所述表面反射的所述激光。 8.根据权利要求7所述的缺陷检查装置，其中，所述光束阻尼器(11)的受光面比所述受光面中的所述激光的照射面积大。 9.根据权利要求7或者8所述的缺陷检查装置，其中，还具备聚光光学元件，该聚光光学元件设置于所述样品(17)与所述光束阻尼器(11)之间的所述反射光路(1b)上，所述光束阻尼器(11)吸收通过所述聚光光学元件聚光的所述激光。 10.根据权利要求1至9中的任意一项所述的缺陷检查装置，其中，所述激光光源(1)出射的所述激光在所述载置台(3)上的照射区域(1c)比所述第二部件大。 11.根据权利要求1至10中的任意一项所述的缺陷检查装置，其中，所述激光光源(1)相对于所述载置台(3)的设置面(3c)的垂线倾斜地设置，以使所述激光倾斜地入射于所述第二部件的所述表面。 12.根据权利要求1至11中的任意一项所述的缺陷检查装置，其中，所述激光光源(1)的输出功率为500W以上。 13.根据权利要求1至12中的任意一项所述的缺陷检查装置，其中，所述第一部件为包含铜的部件，所述第二部件为厚度比所述第一部件薄的半导体芯片(16)。 14.根据权利要求1至13中的任意一项所述的缺陷检查装置，其中，所述接合材料包括焊料，所述第一部件包括绝缘基板，所述第二部件包括半导体芯片(16)。 15.根据权利要求1至14中的任意一项所述的缺陷检查装置，其中，所述冷却部(3a)具有与在所述第一部件载置于所述载置台(3)时的被设置面的形状相应的凹部(3d)或者凸部，所述被设置面为所述第一部件具有的与所述载置台(3)抵接的面。 16.一种缺陷检查装置，具备：载置台(3)，载置包括外壳部(70)的半导体装置，所述外壳部(70)在内部收纳半导体芯片(16)并保持所述半导体芯片(16)和固化前的密封部件(71)，所述密封部件(71)用于密封所述半导体芯片(16)；激光光源(1)，对作为所述外壳部(70)的底板的基座部(51)被载置于所述载置台(3)的所述半导体装置所包括的所述外壳部(70)内所保持的固化前的所述密封部件(71)的表面照射激光而加热所述半导体装置；以及红外线照相机(2)，检测从被所述激光加热的固化前的所述密封部件(71)的所述表面辐射的红外线，其中，所述载置台(3)包括冷却部(3a)，该冷却部(3a)冷却所述半导体装置所包括的所述外壳部(70)的所述基座部(51)。 17.一种缺陷检查装置，具备：载置台(3)，载置半导体装置，该半导体装置包括：半导体芯片(16)；绝缘片(19)，保持所述半导体芯片(16)；以及密封部件(58)，在所述绝缘片(19)的端部通过与所述绝缘片(19)反应而将所述半导体芯片(16)和所述绝缘片(19)密封；激光光源(1)，对载置于所述载置台(3)的所述半导体装置所包括的所述密封部件(58)的表面照射激光而加热所述半导体装置；以及红外线照相机(2)，检测从被所述激光加热的所述密封部件(58)的所述表面辐射的红外线，其中，所述载置台(3)包括冷却部(3a)，该冷却部(3a)冷却所述半导体装置。 18.一种缺陷检查方法，具备：将包括通过接合材料接合的第一部件和第二部件的样品(17)载置于载置台(3)的工序；对所述第一部件被载置于所述载置台(3)的所述样品(17)所包括的所述第二部件的表面照射激光而加热所述样品(17)的工序；取得基于从被所述激光加热的所述第二部件的所述表面辐射的红外线的强度的红外线图像的工序；以及基于所述红外线图像对所述第一部件与所述第二部件的接合状态进行解析的工序。 19.根据权利要求18所述的缺陷检查方法，其中，照射所述激光而加热所述样品(17)的工序以及取得所述红外线图像的工序包括从所述载置台(3)侧冷却所述样品(17)所包括的所述第一部件的工序。
所属类别：	发明专利