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原文传递氢传感器

专利名称：	氢传感器
摘要：	本发明是关于对氢的浓度进行测量的氢传感器的发明，从而提供一种灵敏度高且量产性优异的氢传感器。本发明的氢传感器的特征在于，晶体板(1)上形成有至少第一晶体振子(2)和第二晶体振子(3)，第一晶体振子在两面形成有由铂黑的铂涂膜(8)形成的氢反应催化剂层(4)，第二晶体振子上形成有氢非反应层(5)，通过氢反应催化剂层而使氢被氧化，并以因氧化热而上升了的第一晶体振子的温度作为第一晶体振子的固有频率的变化，并以第二晶体振子的固有频率作为基准来进行测量，从而对氢浓度进行测量。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	日本;JP
申请人：	KOA株式会社
发明人：	植田敏嗣;大井川宽
专利状态：	有效
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201680053542.2
公开号：	CN108027333A
代理机构：	北京瑞盟知识产权代理有限公司 11300
代理人：	刘昕
分类号：	G01N25/22(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N25;G01N25/22
申请人地址：	日本国长野县伊那市荒井3672番地
主权项：	一种氢传感器，其特征在于，晶体板上至少形成有第一晶体振子和第二晶体振子，所述第一晶体振子在两面形成有由铂黑的铂涂膜形成的氢反应催化剂层，所述第二晶体振子上形成有氢非反应层，通过所述氢反应催化剂层而使氢被氧化，并且以因氧化热而上升了的所述第一晶体振子的温度作为所述第一晶体振子的固有频率的变化，并以所述第二晶体振子的固有频率作为基准来进行测量，从而对氢浓度进行测量。
所属类别：	发明专利