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用于X射线显微成像的曲面晶体制备方法
| 专利名称： | 用于X射线显微成像的曲面晶体制备方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于X射线显微成像的曲面晶体制备方法，包括以下步骤：S1：定向切割得厚晶片；S2：检测厚晶片是否合格；S3：将厚晶片研磨得到薄晶片；S4：检测薄晶片是否合格；S5：将基座胚料研磨得到曲面基座；S6：检测曲面基座是否合格；S7：清洗薄晶片和曲面基座；S8：将薄晶片和曲面基座光胶粘合得曲面晶体；S9：检查曲面晶体是否合格。采用本发明提供的用于X射线显微成像的曲面晶体制备方法，通过光胶粘合方式将薄晶片和曲面基座结合得到能够用于X射线显微成像的曲面晶体，该结合方式为薄晶片与基座间的分子键合，具备无胶合剂、无间隙、高质量面形、性能稳定和使用寿命长等优点。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 四川;51 |
| 申请人： | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 发明人： | 杨正华 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810813058.6 |
| 公开号： | CN108789888A |
| 代理机构： | 重庆为信知识产权代理事务所(普通合伙) 50216 |
| 代理人： | 蔡冬彦 |
| 分类号： | B28D5/00(2006.01)I;B24B1/00(2006.01)I;G01B15/00(2006.01)I;G01B15/04(2006.01)I;G01B15/08(2006.01)I;B;G;B28;B24;G01;B28D;B24B;G01B;B28D5;B24B1;G01B15;B28D5/00;B24B1/00;G01B15/00;G01B15/04;G01B15/08 |
| 申请人地址： | 621900 四川省绵阳市游仙区绵山路64号 |
| 主权项： | 1.一种用于X射线显微成像的曲面晶体制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：对单晶体进行定向切割得到预设厚度的厚晶片；S2：利用X光源对所述厚晶片进行晶格形变检测：不合格，则弃用该厚晶片，并返回步骤S1，合格，则进入下一步骤；S3：对步骤S2检测合格的厚晶片的两侧表面进行研磨，使两侧表面的粗糙度、平面度和平行度达到预设值，得到预设厚度的薄晶片，该薄晶片的两侧表面均为平面结构；S4：利用X光源对薄晶片进行谱线测试：不合格，则弃用该薄晶片，并返回步骤S1，合格，则进入下一步骤；S5：将基座胚料的一侧表面研磨成向内凹陷的曲面，并使曲面的粗糙度和面形精度达到预设值，得到曲面基座；S6：利用光学干涉仪对曲面基座的曲面进行粗糙度和面形精度检测：不合格，则弃用该曲面基座，并返回步骤S5，合格，则进入下一步骤；S7：对步骤S4检测合格的薄晶片和步骤S6检测合格的曲面基座进行清洗；S8：将清洗完成的薄晶片光胶粘合在清洗完成的曲面基座的曲面上，得到曲面晶体；S9：检查曲面晶体是否合格：不合格，则返回步骤S1，合格，则下线。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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