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原文传递 一种界面修饰底接触电极有机薄膜晶体管气体传感器的制备方法
专利名称: 一种界面修饰底接触电极有机薄膜晶体管气体传感器的制备方法
摘要: 本发明设计了一种界面修饰底接触电极有机薄膜晶体管气体传感器的制备方法,包括衬底层(1)、修饰层(2)、叉指电极(3)、诱导层(4)和气体敏感层(5)。采用回收的废旧液晶屏拆卸处理得到氮化硅衬底作为衬底层(1),聚甲基丙烯酸甲脂旋涂在氮化硅衬底表面作为修饰层(2),为电极和诱导层形成良好的生长界面。蒸镀金材料作为底接触的叉指电极(3),埋藏在诱导层下面,保护叉指金电极,及提高NO2气体(6)与气体敏感层(5)接触面积。在叉指电极(3)上连续真空沉积p‑六联苯作为诱导层(4),酞菁铜为气体敏感层(5),形成高有序的薄膜。该传感器绿色环保,且有序薄膜为敏感层具有高气体灵敏度,快的响应速度和回复时间。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 吉林;22
申请人: 长春工业大学
发明人: 王丽娟;谢强;史超;闫闯;朱阳阳;孙强;王璐;孙丽晶
专利状态: 有效
发布日期: 2019-01-01T00:00:00+0800
申请号: CN201810281904.4
公开号: CN108508075A
分类号: G01N27/414(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;G;H;G01;H01;G01N;H01L;G01N27;H01L29;G01N27/414;H01L29/786
申请人地址: 130012 吉林省长春市朝阳区延安大街2055号
主权项: 1.本发明是一种界面修饰底接触电极有机薄膜晶体管气体传感器的制备方法,其特征在于,包括衬底层(1),修饰层(2),叉指电极(3),诱导层(4),气体敏感层(5),首先在氮化硅材料的衬底层(1)表面旋涂聚甲基丙烯酸甲脂的修饰层(2),衬底层(1)采用的是回收废旧液晶屏拆卸处理后得到的氮化硅衬底,然后蒸镀金属材料金为底接触的叉指电极(3),金材料的叉指电极(3)上面覆盖蒸镀p‑六联苯诱导层(4)和异质诱导生长酞菁铜的气体敏感层(5),底接触的叉指电极(3)被保护的同时,增加了酞菁铜气体敏感层(5)与NO2气体(6)的接触面积。
所属类别: 发明专利
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