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一种氮化物半导体材料除氢激活提升p型导电性的方法
| 专利名称： | 一种氮化物半导体材料除氢激活提升p型导电性的方法 |
| 摘要： | 一种氮化物半导体材料除氢激活提升p型导电性的方法，涉及III族氮化物半导体材料。设计三电极电化学处理装置；将p型掺杂的半导体晶片密封至容器底部，作为工作电极；设置辅助电极和参比电极，与工作电极构成电化学三电极系统；选择除氢电解液，加入容器中，并淹没三电极；于工作电极和辅助电极之间施加直流偏压，进行除H并激活p型杂质；激活处理完毕，取出p型半导体晶片，进行去离子水超声清洗；利用电学装置测试晶片的电学性质。操作简便、无需高温退火，可制备出具有良好导电特性的p型GaN和AlGaN材料，并且可对完整结构器件晶圆片做后期处理，在可见光、紫外、深紫外的LED、LD、探测器等光电子领域中有着广泛的应用。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 福建;35 |
| 申请人： | 厦门大学 |
| 发明人： | 蔡端俊;卢诗强;李俊冀;李书平 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810298037.5 |
| 公开号： | CN108519411A |
| 代理机构： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 |
| 代理人： | 马应森 |
| 分类号： | G01N27/28(2006.01)I;G01N27/30(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/28;G01N27/30 |
| 申请人地址： | 361005 福建省厦门市思明南路422号 |
| 主权项： | 1.一种氮化物半导体材料除氢激活提升p型导电性的方法，其特征在于包括以下步骤：1)设计三电极电化学处理装置；2)将p型掺杂的半导体晶片密封至容器底部，作为工作电极；3)设置一个辅助电极和一个参比电极，与工作电极构成电化学三电极系统；4)选择除氢电解液，加入容器中，并淹没三电极；5)于工作电极和辅助电极之间施加直流偏压，进行除H并激活p型杂质；6)激活处理完毕，取出p型半导体晶片，进行去离子水超声清洗；7)利用电学装置测试晶片的电学性质。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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