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原文传递掺杂半导体的激活率确定方法、系统及存储介质

专利名称：	掺杂半导体的激活率确定方法、系统及存储介质
摘要：	本发明公开了掺杂半导体的激活率确定方法、系统及存储介质，方法包括：确定待测掺杂半导体的吸收光谱；根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度；确定待测掺杂半导体的掺杂原子浓度；根据载流子浓度和掺杂原子浓度确定激活率。本发明无需利用霍尔效应或者C‑V方法测量载流子浓度，降低了测量误差，提高了精确度；另外，本发明可不采用SIMS或ICP方法就能获取掺杂原子浓度，降低了测量成本且操作简单，可广泛应用于半导体检测技术领域。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	广东;44
申请人：	华南师范大学
发明人：	郑树文;何伟;李京波;王立云;郑涛
专利状态：	有效
申请日期：	2019-06-10T00:00:00+0800
发布日期：	2019-10-25T00:00:00+0800
申请号：	CN201910495657.2
公开号：	CN110376143A
代理机构：	广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人：	胡辉
分类号：	G01N21/31(2006.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	510631 广东省广州市天河区中山大道西55号
主权项：	1.掺杂半导体的激活率确定方法，其特征在于：包括以下步骤：确定待测掺杂半导体的吸收光谱；根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度；确定待测掺杂半导体的掺杂原子浓度；根据载流子浓度和掺杂原子浓度确定激活率。 2.根据权利要求1所述的掺杂半导体的激活率确定方法，其特征在于：所述确定待测掺杂半导体的吸收光谱这一步骤，具体为：通过光度计测量待测掺杂半导体的吸收光谱。 3.根据权利要求1所述的掺杂半导体的激活率确定方法，其特征在于：所述根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度这一步骤，包括以下步骤：通过光度计测量不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱；根据不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱，确定吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式；根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度。 4.根据权利要求1所述的掺杂半导体的激活率确定方法，其特征在于：所述根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度这一步骤，包括以下步骤：根据不同载流子浓度的掺杂半导体模型，通过第一性原理计算不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱；根据不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱，确定吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式；根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度。 5.根据权利要求1所述的掺杂半导体的激活率确定方法，其特征在于：所述确定待测掺杂半导体的掺杂原子浓度这一步骤，包括以下步骤：通过EDS测试方法或XPS测试方法获得待测掺杂半导体的元素百分比；根据所述元素百分比构建掺杂半导体模型；根据掺杂半导体模型，通过第一性原理计算得到掺杂原子浓度。 6.根据权利要求1所述的掺杂半导体的激活率确定方法，其特征在于：所述确定待测掺杂半导体的掺杂原子浓度这一步骤，其具体为：通过SIMS测试方法或ICP测试方法直接测量出待测掺杂半导体的掺杂原子浓度。 7.掺杂半导体的激活率确定系统，其特征在于：包括：吸收光谱确定模块，用于确定待测掺杂半导体的吸收光谱；载流子浓度确定模块，用于根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度；掺杂原子浓度确定模块，用于确定待测掺杂半导体的掺杂原子浓度；激活率确定模块，用于根据载流子浓度和掺杂原子浓度确定激活率。 8.根据权利要求7所述的掺杂半导体的激活率确定系统，其特征在于：所述载流子浓度确定模块包括：第一计算单元，用于根据不同载流子浓度的掺杂半导体模型，通过第一性原理计算不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱；关系式确定单元，用于根据不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱，确定吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式；第二计算单元，用于根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度。 9.掺杂半导体的激活率确定系统，其特征在于：包括：至少一个处理器；至少一个存储器，用于存储至少一个程序；当所述至少一个程序被所述至少一个处理器执行，使得所述至少一个处理器实现如权利要求1-6中任一项所述的掺杂半导体的激活率确定方法。 10.一种存储介质，其中存储有处理器可执行的指令，其特征在于：所述处理器可执行的指令在由处理器执行时用于执行如权利要求1-6中任一项所述的掺杂半导体的激活率确定方法。
所属类别：	发明专利