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一种基于MEMS工艺薄膜应变热导率测试装置及方法
| 专利名称： | 一种基于MEMS工艺薄膜应变热导率测试装置及方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于MEMS工艺薄膜应变热导率测试装置及方法，包括在外屏蔽罩下方设有的加热台，在外屏蔽罩内设有载物台，在载物台上设有压电测试装置，在压电测试装置上放置有测试片；在外屏蔽罩内壁设有温度传感器和通气孔；通过压电测试装置的压电驱动部件施加位移，压电测试装置的带动连接片，将位移施加到测试片使得镀有薄膜的测试片上的薄膜产生应变，应变大小为施加位移与应变片的设计大小比值确定。通过控制进给位移来控制薄膜应变的大小，通过向测试电极通入交流电流，通过读取从测试电极采集的3ω谐波的成分的大小并进过推导公式计算得到待测薄膜的热导率。此方法简单，完全满足测量薄膜不同应变下不同温度下的热导率的要求。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 陕西;61 |
| 申请人： | 西安交通大学 |
| 发明人： | 王海容;谷汉卿;陈翰林;王久洪 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810317787.2 |
| 公开号： | CN108844990A |
| 代理机构： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 |
| 代理人： | 姚咏华 |
| 分类号： | G01N25/20(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N25;G01N25/20 |
| 申请人地址： | 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号 |
| 主权项： | 1.一种基于MEMS工艺薄膜应变热导率测试装置，其特征在于，包括一个外屏蔽罩(2)，在外屏蔽罩(2)下方设有加热台(3)，在外屏蔽罩(2)内设有载物台(4)，在载物台(4)上设有压电测试装置(5)，在压电测试装置(5)上放置有测试片(1)；在外屏蔽罩(2)内壁设有温度传感器(7)和通气孔(6)；所述压电测试装置(5)包括依次连接的金属连接块(51)、压电驱动部件(53)和连接片(52)；制备有待测薄膜的测试片(1)连接在金属连接块(51)和连接片(52)上，待测薄膜上的测试电极与检测系统和计算机相连；通过压电驱动部件(53)施加位移带动连接片(52)，将位移施加到测试片(1)，使得镀有薄膜的测试片上的待测薄膜产生应变，通过控制进给位移来控制待测薄膜应变大小，向测试电极通入交流电流，读取从测试电极采集的3ω谐波的大小并计算得到待测薄膜的热导率。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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