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一种金属表面二次电子能谱分布测试方法
| 专利名称： | 一种金属表面二次电子能谱分布测试方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金属表面二次电子能谱分布测试方法，包括双层栅网球形二次电子收集器的结构、信号测试回路与测试流程；本发明的有益效果是：本发明的二次电子能谱分布测试方法，用于对金属材料样品的二次电子能谱分布进行测量，可以通过在偏压栅网上接入负偏压，对样品表面发射出的二次电子进行能量甑选，从而测得二次电子信号随负偏压的变化曲线，进而得到二次电子能谱分布曲线；双层栅网球形二次电子收集器，可以接收到整个空间中的二次电子，不仅可以对二次电子进行能量甑选，还可以测得二次电子能谱随电子入射角度的变化曲线；本发明可为金属材料表面二次电子发射特性改性效果提供评估依据。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 四川;51 |
| 申请人： | 中国工程物理研究院流体物理研究所 |
| 发明人： | 何佳龙;龙继东;杨振;彭宇飞;李杰;刘平;王韬;李喜;董攀;蓝朝晖;郑乐;刘尔祥;赵伟;杨洁;石金水 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201810967001.1 |
| 公开号： | CN109142414A |
| 代理机构： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 |
| 代理人： | 唐邦英 |
| 分类号： | G01N23/2251(2018.01)I;G;G01;G01N;G01N23 |
| 申请人地址： | 621000 四川省绵阳市游仙区绵山路64号 |
| 主权项： | 1.一种金属表面二次电子能谱分布测试方法，应用于双层栅网球形二次电子收集器中，其特征在于，所述方法包括：进行二次电子能谱测试时，先使超高真空腔内的真空度优于1×10‑7Pa，脉冲电子枪经过充分时间的预热发射电流稳定后，开始进行测量；设定好电子枪输出电子能量E，首先测定全部二次电子信号流强，球形偏压栅网上接0V偏压，脉冲电子枪发射出脉宽10μs的脉冲电子束，打到样品表面，此时将得到收集极测试信号波形，全部二次电子信号流强为I0；然后在球形偏压栅网上加幅度为‑U的负偏压，则能量低于eU的二次电子将被栅网阻挡而不能到达收集极，此时测得的信号幅度为IU，则能量低于eU的二次电子所占的比例可表示为PU＝IU/I0改变负偏压电源的输出电压，可以得到二次电子信号随负偏压的变化曲线，其中栅网偏压的取值范围为0V至E/e之间；对PU取U的导数即可得到二次电子的能谱分布P(E)： |
| 所属类别： | 发明专利 |
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