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一种金属表面二次电子发射系数测试方法
| 专利名称： | 一种金属表面二次电子发射系数测试方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金属表面二次电子发射系数测试方法，所述方法包括：采用双层栅网球形二次电子收集器收集金属材料样品表面发射出的二次电子，通过偏压栅网接正负50V偏压对二次电子进行能量甄选；实现金属材料表面二次电子发射特性改性效果评估与改性机制分析对金属材料二次电子发射系数的测试需求，分别测得金属材料表面的真二次电子发射系数、电子背散射系数和总二次电子发射系数，以实现一种测试精度高、测试结果完备的二次电子发射系数测试方法。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 四川;51 |
| 申请人： | 中国工程物理研究院流体物理研究所 |
| 发明人： | 何佳龙;龙继东;李杰;彭宇飞;杨振;刘平;王韬;李喜;董攀;蓝朝晖;郑乐;刘尔祥;赵伟;杨洁;石金水 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810965994.9 |
| 公开号： | CN109060855A |
| 代理机构： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 |
| 代理人： | 唐邦英 |
| 分类号： | G01N23/22(2018.01)I;G;G01;G01N;G01N23;G01N23/22 |
| 申请人地址： | 621000 四川省绵阳市游仙区绵山路64号 |
| 主权项： | 1.一种金属表面二次电子发射系数测试方法，其特征在于，所述方法包括：采用双层栅网球形二次电子收集器收集金属材料样品表面发射出的二次电子，通过偏压栅网接正负50V偏压对二次电子进行能量甄选；假设一定能量的入射电子束打到被测样品表面，入射电子流强为I0，材料的真二次电子发射系数为δ，电子背散射系数为η，偏压栅网的电子透过率为θ，当偏压栅网与被测样品之间加‑50V偏压时，真二次电子不能穿过栅网，二次电子收集极上得到的电子信号为背散射电子信号，流强记为Ic‑；当偏压栅网与被测样品之间加+50V偏压时，真二次电子与背散射电子均穿过栅网被二次电子收集极接收，得到的电流信号为总二次电子信号，流强记为Ic+，则该能量下的真二次电子发射系数为：δ＝(Ic+‑Ic‑)/(θ·I0)，电子背散射系数为η＝Ic‑/(θ·I0)。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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