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原文传递一种二次电子发射系数测量和能谱分析装置

专利名称：	一种二次电子发射系数测量和能谱分析装置
摘要：	本发明公开了一种二次电子发射系数测量和能谱分析装置，包括:屏蔽栅网、抑制栅网、收集极和屏蔽罩由内向外依次同轴布置形成的收集极模块，屏蔽栅网、抑制栅网、收集极和屏蔽罩的中心均设有通孔，所有通孔处于同一直线上；样品台模块从下而上依次为冷却层、加热层、绝缘层和样品座；偏压装置包括第一偏压电源和第二偏压电源，第一偏压电源与收集极连接，第二偏压电源与抑制栅网连接；收集极模块和样品台模块均设于真空腔内，且收集极模块位于样品台模块的正上方；电子枪设于收集极模块的正上方，且电子枪、收集极模块和样品台模块的中心轴线位于同一直线上；屏蔽栅网、抑制栅网、收集极和样品座分别与不同的弱电流测量装置连接。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	北京;11
申请人：	中国科学院电工研究所
发明人：	任成燕;李杨威;孔飞;邵涛;章程;刘俊标;赵伟霞
专利状态：	有效
申请日期：	2018-02-11T00:00:00+0800
发布日期：	2019-08-23T00:00:00+0800
申请号：	CN201810141609.9
公开号：	CN110161065A
代理机构：	北京君泊知识产权代理有限公司
代理人：	王程远;胡玉章
分类号：	G01N23/22(2018.01);G;G01;G01N;G01N23
申请人地址：	100190 北京市海淀区中关村北二条6号
主权项：	1.一种二次电子发射系数测量和能谱分析装置，其特征在于，包括：收集极模块，其包括屏蔽栅网(3)、抑制栅网(4)、收集极(5)和屏蔽罩(6)，所述屏蔽栅网(3)、所述抑制栅网(4)、所述收集极(5)和所述屏蔽罩(6)由内向外依次同轴布置形成多层筒状结构，所述屏蔽栅网(3)、所述抑制栅网(4)、所述收集极(5)和所述屏蔽罩(6)的中心均设有通孔，且所有通孔均处于同一直线上；样品台模块，其包括从下往上依次设置的冷却层(7)、加热层(8)、绝缘层(9)和样品座(10)，样品(11)置于所述样品座(10)上；偏压装置，其包括第一偏压电源(12)和第二偏压电源(13)，所述第一偏压电源(12)与所述收集极(5)连接，所述第二偏压电源(13)与所述抑制栅网(4)连接；真空腔(2)，所述收集极模块和所述样品台模块均设于所述真空腔(2)内，且所述收集极模块位于所述样品台模块的正上方；电子枪(1)，其设于所述收集极模块的正上方，且所述电子枪(1)、所述收集极模块和所述样品台模块的中心轴线位于同一直线上；所述屏蔽栅网(3)、所述抑制栅网(4)、所述收集极(5)和所述样品座(10)分别与不同的弱电流测量装置连接。 2.根据权利要求1所述的二次电子发射系数测量和能谱分析装置，其特征在于，所述电子枪(1)输出电子能量为50eV～30k eV，且具有直流和脉冲两种工作模式。 3.根据权利要求1所述的二次电子发射系数测量和能谱分析装置，其特征在于，所述屏蔽栅网(3)、所述抑制栅网(4)、所述收集极(5)和所述屏蔽罩(6)中心位置上的通孔的孔径大小均可调。 4.根据权利要求1所述的二次电子发射系数测量和能谱分析装置，其特征在于，所述屏蔽栅网(3)和所述抑制栅网(4)均为多孔网状结构，所述屏蔽栅网(3)与所述抑制栅网(4)之间的间距和所述抑制栅网(4)与所述收集极(5)之间的间距均为8～16mm。 5.根据权利要求1所述的二次电子发射系数测量和能谱分析装置，其特征在于，所述收集极(5)为直径和高度相等的金属圆筒，所述收集极(5)的直径为80～160mm。 6.根据权利要求1所述的二次电子发射系数测量和能谱分析装置，其特征在于，所述第一偏压电源(12)的偏压范围为+30～+60V，所述第二偏压电源(13)的偏压范围为0～﹣1500V。 7.根据权利要求1所述的二次电子发射系数测量和能谱分析装置，其特征在于，所述样品台模块为温控平台，其温度范围为﹣150～150℃。 8.根据权利要求1所述的二次电子发射系数测量和能谱分析装置，其特征在于，所述冷却层(7)底面设有沿X、Y、Z轴三个方向的滑动轨道。 9.根据权利要求1所述的二次电子发射系数测量和能谱分析装置，其特征在于，所述屏蔽栅网(3)为高导电率金属材料，所述屏蔽罩(6)为高磁导率金属材料，所述绝缘层(9)为高导热率绝缘材料。 10.根据权利要求1所述的二次电子发射系数测量和能谱分析装置，其特征在于，测量绝缘材料时所述抑制栅网(4)和所述收集极(5)加负偏压，同时通过所述样品台模块对所述样品(11)加热。
所属类别：	发明专利